大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在(zài)华(huá)销(xiāo)售的(de)产品未通过网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法(fǎ)对美光公司在华销售产品进(jìn)行了网络安(ān)全审查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光公司产品存(cún)在较严重网络(luò)安全问题(tí)隐患，对(duì)我国(guó)关键信息(xī)基础设施供应链造成重大安(ān)全风(fēng)险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室依(yī)法(fǎ)作出不予通过网络安全审(shěn)查(chá)的结(jié)论。按照《网络安全法》等(děng)法律(lǜ)法规，我国(guó)内关键信息基础设(shè)施的运营者(zhě)应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品(pǐn)进行网络安全(quán)审查，目的是(shì)防范(fàn)产品(pǐn)网络安全问题危害国(guó)家关键信息基础设施安(ān)全，是维护国(guó)家安全的(de)必(bì)要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外(wài)开放(fàng)，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法(fǎ)律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障(zhàng)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问题隐患(huàn)造(zào)成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人(rén)民共和国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品实施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是(shì)全球(qiú)存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购(gòu)占比已经(jīng)显著(zhù)下降，至少已经不是主(zhǔ)要大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光(gu朝鲜领土面积多大相当于中国哪个省，朝鲜领土面积多大？相当于中国哪个省的面积ne-height: 24px;'>朝鲜领土面积多大相当于中国哪个省，朝鲜领土面积多大？相当于中国哪个省的面积āng)位列(liè)江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商(shāng)采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报(bào)显示，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩固(gù)公司(sī)在下游市(shì)场的供应优势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国区销售受到(dào)限(xiàn)制，或将(jiāng)导致(zhì)下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储(chǔ)等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分析称，长(z朝鲜领土面积多大相当于中国哪个省，朝鲜领土面积多大？相当于中国哪个省的面积hǎng)存、长鑫的(de)上游设备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最关(guān)键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能(néng)会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加(jiā)入(rù)美国限制名(míng)单(dān)，设(shè)备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以(yǐ)及(jí)存储(chǔ)业务(wù)占比较(jiào)高的(de)华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海(hǎi)（清(qīng)洗）等(děng)收入(rù)增(zēng)长。

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