大(dà)家(jiā)好(hǎo)，来看一则(zé)突(tū)发消息(xī)。

　　美光公司在华(huá)销售的(de)产品未通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日(rì)前，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)办公室依法对美(měi)光(guāng)公司在华(huá)销(xiāo)售产品进行了网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光(guāng)公司产品存在较严(yán)重网络安(ān)全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施(shī)供应链造成重大(dà)安(ān)全(quán)风险(xiǎ一个立一个羽念什么字n)，影响我国国(guó)家安(ān)全。为此，网络安全审查办公室依法作出(chū)不予通(tōng)过(guò)网(wǎng)络安全(quán)审查的结论。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规(guī)，我国(guó)内关键信息基础设施的(de)运营者应停(tíng)止(zhǐ)采(cǎi)购美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网(wǎng)络(luò)安全审查，目的是(shì)防(fáng)范产品网络安(ān)全(quán)问题危害(hài)国家(jiā)关键信息基础设施安全，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水平对外开(kāi)放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服(fú)务进入(rù)中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称(chēng)，为(wèi)保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安(ān)全(quán)风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民(mín)共和国国家安全(quán)法》《中(zhōng)华人(rén)民共和国网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办公室(shì)按照《网络(luò)安(ān)全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络(luò)安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球(qiú)存(cún)储芯片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来自中国市(shì)场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公司披露(lù)过美光(guāng)等国际存储厂(chǎng)商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采(cǎi)购占(zhàn)比已(yǐ)经显著下降，至少(shǎo)已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波龙第(dì)一大存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(一个立一个羽念什么字dì)一(yī)大、第二大(dà)和第(dì)三(sān)大供应商(shāng)采购(gòu)金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存(cún)储产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了(le)长期(qī)合约，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司在(zài)下游市场(chǎng)的供应优(yōu)势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果(guǒ)美光(guāng)在中国区销售(shòu)受到限制(zhì)，或将(jiāng)导致下游客(kè)户转而采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存(cún)储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的(de)生产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最关键、最(zuì)大量(liàng)的加工设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过(guò)薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能(néng)会更深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多(duō)设(shè)备需求(qiú)。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名(míng)单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等(děng一个立一个羽念什么字)收入增长。

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