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　　美(měi)光公司在华销(xiāo)售的产品未通过网(wǎng)络安全审(shěn)查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息(xī)，日前，网络安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室依法对美(měi)光公司(sī)在华销(xiāo)售产品(pǐn)进行(xíng)了网络安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公司产品存(cún)在较严重网络安全(quán)问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信(xìn)息(xī仙洋为什么判7年，仙洋为什么被抓了)基础设施供应链(liàn)造(zào)成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安(ān)全。为(wèi)此，网络安全仙洋为什么判7年，仙洋为什么被抓了审查办公室(shì)依(yī)法作出(chū)不予通过网络安全审查的结(jié)论。按(àn)照《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础设施的运营者(zhě)应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网(wǎng)络安(ān)全审查，目的(de)是防范产品网络安全问题危害国(guó)家关键信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)安(ān)全(quán)，是(shì)维(wéi)护(hù)国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国(guó)法(fǎ)律法(fǎ)规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为(wèi)保障(zhàng)关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防(fáng)范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全(quán)审查办公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)。

　　美光是美国的存储(chǔ)仙洋为什么判7年，仙洋为什么被抓了芯片行业(yè)龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中(zhōng)国市(shì)场收入从此(cǐ)前高(gāo)峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额(é)约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比(bǐ)已经显著下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业(yè)链上下游(yóu)建(jiàn)立国内外(wài)广泛合作。2022年年(nián)报(bào)显示(shì)，江波(bō)龙(lóng)与三星、美光、西部(bù)数据(jù)等主要存(cún)储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的(de)供应优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好的合(hé)作。

　　有券商此前就(jiù)分(fēn)析，如果美(měi)光在中(zhōng)国区销(xiāo)售受到限制(zhì)，或将导致(zhì)下游客(kè)户转而(ér)采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等(děng)竞对(duì)产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的(de)上游设备(bèi)厂(chǎng)或从中受益(yì)。存储器的生产(chǎn)已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最(zuì)关键、最大量(liàng)的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设(shè)备需求(qiú)。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄膜(mó)沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入(rù)美国(guó)限制名单，设备国产化(huà)进程(chéng)加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及(jí)存储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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