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乌克兰已经牺牲了多少人,乌克兰已阵亡了多少人

乌克兰已经牺牲了多少人,乌克兰已阵亡了多少人 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好(hǎo),来(lái)看一则突发(fā)消息。

  美光公司在华销售的产品未通(tōng)过网络(luò)安全审查

  据网信办(bàn)消息,日(rì)前,网络安全(quán)审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华销售产品进行了网络安全(quán)审查。

  审查(chá)发现,美光公司产品存在(zài)较严重网(wǎng)络安全(quán)问题隐患,对我国关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链造成重(zhòng)大(dà)安全风险,影响我国国家安(ān)全(quán)。为此,网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法作(zuò乌克兰已经牺牲了多少人,乌克兰已阵亡了多少人)出不(bù)予(yǔ)通(tōng)过(guò)网络(luò)安全审查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规,我国内关键信息基础设施(shī)的运营者应(yīng)停(tíng)止采(cǎi)购(gòu)美光公(gōng)司产品(pǐn)。

  此次对美光公(gōng)司产品进行网络安全审查(chá),目的(de)是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安全(quán)问题危(wēi)害国家关键信息基础(chǔ)设施安(ān)全,是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放,只要(yào)遵守中国法律(lǜ)法规(guī)要求,欢迎各国企业(yè)、各(gè)类平(píng)台产品(pǐn)服(fú)务进入中国市场。

  半导体(tǐ)突发!中(zhōng)国出手(shǒu):停止采购!

  3月31日,中国网信网发文称,为(wèi)保障关(guān)键信息基础设施供应链安全,防范产品问题隐患造成网络(luò)安全风险,维护国(guó)家安全,依据《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和国(guó)网络安全法》,网络安全审查办公室(shì)按(àn)照《网络安全审(shěn)查办法》,对美(měi)光(guāng)公(gōng)司(sī)(Micron)在华销(xiāo)售(shòu)的产品(pǐn)实施(shī)网络安全审查。

  半导体突发(fā)!中国出手:停(tíng)止(zhǐ)采(cǎi)购!

  美光是美(měi)国的存储芯片(piàn)行业龙头(tóu),也(yě)是全球(qiú)存(cún)储芯(xīn)片(piàn)巨头(tóu)之(zhī)一,2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57%降至2022年约11%。根据市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash (闪存)市场份(fèn)额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM (内存(cún))市场份额(é)约为 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司(sī)披露过美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商。

  美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著(zhù)下降,至少(shǎo)已经不是主要大供(gōng)应商(shāng)。

  公告显示, 2021年(nián)美(měi)光位列(liè)江波龙第一大存储晶(jīng)圆供(gōng)应(yīng)商,采购(gòu)约(yuē)31亿元(yuán),占比33.52%;2022年(nián),江波(bō)龙第(dì)一大、第二大和第三大(dà)供(gōng)应(yīng)商采(cǎi)购金额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前(qián)江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示,江波(bō)龙与三(sān)星、美光、西(xī)部(bù)数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约,确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性(xìng),巩固公司在下游市场的供应优势,公司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持(chí)良好的(de)合作。

  有券商(shāng)此前就(jiù)分析,如果美光在中国区销售受到限制,或将导致下游(yóu)客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士,国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

  分(fēn)析称,长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益(yì)。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài),2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(j乌克兰已经牺牲了多少人,乌克兰已阵亡了多少人iàn)、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工乌克兰已经牺牲了多少人,乌克兰已阵亡了多少人艺(yì)步骤,同时刻蚀(shí)目前前(qián)沿要(yào)刻到 60:1的深孔,未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽,催生更(gèng)多(duō)设备需(xū)求。据东京电子披(pī)露,薄膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本开支合(hé)计为75%。自长江存储被加(jiā)入美国限制名单,设备国产化进程(chéng)加速,看好(hǎo)拓(tuò)荆(jīng)科技(薄膜沉(chén)积)等相关公司份(fèn)额提升,以及存储业务占(zhàn)比较高的华(huá)海清(qīng)科(kē)(CMP)、盛美上(shàng)海(清洗(xǐ))等(děng)收入增长。

 

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