大家好，来看一则突(tū)发消(xiāo)息。

　　美光公司(sī)在华(huá)销售(shòu)的(de)产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司(sī)在华销售产品进(jìn)行了网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司(sī)产(chǎn)品存在(zài)较严重网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关(guān)键信息基础设(shè)施供应(yīng)链造成重(zhòng)大安(ān)全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出(chū)不(bù)予通过网(wǎng)络安全审查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者(zhě)应停止采购美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美(měi)光(guāng)公司产品进行(xíng)网络安全审查，目的(de)是防范产品网络安(ān)全问(wèn)题危害国(guó)家关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施(shī)安全(quán)，是(shì)维护国家(jiā)安(ān)全(quán)的必要措施。中国坚(jiān)定推进(jìn)高(gāo)水(shuǐ)平对(duì)外开(kāi)放，只要(yào)遵守(shǒu)中国(guó)法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网信网(wǎng)发文(wén)称(chēng)，为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施(shī)网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是(shì)美国的存(cún)储芯片(piàn)行业龙(lóng)头(tóu)，也(yě)是(shì)全(quán)球(qiú)存储芯(xīn)片巨(jù)头之(zhī)一，20叮铃铃和叮呤呤，《叮铃铃》22年收(shōu)入(rù)来自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35叮铃铃和叮呤呤，《叮铃铃》％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公(gōng)司披露过美光等国际存(cún)储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显著下(xià)降，至少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第三大供(gōng)应商采购金(jīn)额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存(cún)储产业(yè)链上下游建(jiàn)立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部数(shù)据(jù)等主要存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性，巩固公司(sī)在下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果美光(guāng)在(zài)中国区销售受(shòu)到限制，或(huò)将(jiāng)导致下游(yóu)客(kè)户(hù)转而(ér)采购国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士(shì)，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构(gòu)转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可(kě)能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开(kāi)支合计(jì)为75％。自长江存储被(bèi)加入(rù)美(měi)国限制名单，设(shè)备国产化(huà)进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相(xiāng)关(guān)公司份(fèn)额提升(shēng)，以及存(cún)储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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