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　　美(měi)光公司在华销售(shòu)的产(chǎn)品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办(bàn)消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依(yī)法对美光公司在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美晚上睡觉抹护肤品好还是不好，晚上睡觉抹护肤品好还是不好光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品存(cún)在较严重网(wǎng)络安全问题隐患(huàn)，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链造成重大安(ān)全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法(fǎ)作(zuò)出不(bù)予通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息(xī)基础设施(shī)的运(yùn)营者应停(tíng)止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网络安全(quán)审查，目的(de)是防范产品(pǐn)网络安全问(wèn)题危(wēi)害国家关键信(xìn)息基础设(shè)施安(ān)全，是维护国(guó)家安全的必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水平对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称(chēng)，为(wèi)保障(zhàng)关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链安全，防范(fàn)产品(pǐn)问题(tí)隐患造成网络安(ān)全风险，维护(hù)国(guó)家(jiā)安全，依(yī)据《中华(huá)人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安(ān)全(quán)法》，网(wǎng)络安全(quán)审查办公(gōng)室按照(zhào)《网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的(de)产(chǎn)品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业(yè)龙头，也是全球存(cún)储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光(guāng)在江(jiāng)波龙采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少(shǎo)已(yǐ)经(jīng)不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应(yīng)商采购金(jīn)额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游(yóu)建立(lì)国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据(jù)等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司(sī)在下游市场(chǎng)的供应(yīng)优势，公司也与(yǔ)国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就(jiù)分(fēn)析，如果(guǒ)美光在中(zhōng)国区销售受到(dào)限制，或将(jiāng)导致(zhì)下(xià)游客户转而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江存(cún)储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成(chéng)为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生(shēng)更多设备(bèi)需求(qiú)。据(jù)东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加(jiā)入美(měi)国限制名单，设备国产化进程加速(sù)，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相关公司(sī)份额提升，以及存储业务(wù)占(zhàn)比较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增(zēng)长。

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