大家好，来(lái)看一(yī)则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华禧与喜的区别是什么，喜字logo设计销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安(ān)全审(shěn)查办公室(shì)依法对美光公司在华销售产品进行(xíng)了网络安(ān)全审查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光公司产品(pǐn)存(cún)在较(jiào)严(yán)重(zhòng)网络(luò)安全问题隐患，对我国(guó)关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国(guó)家安(ān)全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依(yī)法作出不(bù)予(yǔ)通过网络安全(quán)审查的结论(lùn)。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)的(de)运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范(fàn)产品网(wǎng)络安全问题危害国(guó)家关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国(guó)坚定推(tuī)进高(gāo)水(shuǐ)平对(duì)外(wài)开放，只要遵守中国(guó)法律法规要求(qiú)，欢迎各(gè)国企业、各类平台禧与喜的区别是什么，喜字logo设计产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链安全，防范产品问(wèn)题(tí)隐患造成(chéng)网络安(ān)全(quán)风险(xiǎn)，维护国(guó)家安(ān)全，依据《中华人(rén)民共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室(shì)按照《网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办(bàn)法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的(de)产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存(cún)储芯片行(xíng)业(yè)龙(lóng)头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在(zài)全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比(bǐ)已经显著下(xià)降，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采购(gòu)约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在(zài)存(cún)储(chǔ)产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供(gōng)应的(de)稳定性，巩(gǒng)固(gù)公(gōng)司在(zài)下(xià)游市场的供应优势，公司(sī)也与国内(nèi)国(guó)产存(cún)储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就分(fēn)析，如果美光(guāng)在中(zhōng)国(guó)区销(xiāo)售受到限制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游客户转而(ér)采购(gòu)国(guó)外三(sān)星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存(cún)储器的生产已经演(yǎn)进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可能会(huì)更(gèng)深(shēn)的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积(jī)设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合计为75％。自(zì)长江(jiāng)存储被加入美国限制(zhì)名单(dān)，设备国(guó)产(chǎn)化进(jìn)程加(jiā)速(sù)，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份(fèn)额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长。

未经允许不得转载：惠安汇通石材有限公司 禧与喜的区别是什么，喜字logo设计