据(jù)网信(xìn)办(bàn)消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司(sī)产(chǎn)品存在较(jiào)严(yán)重网络安全问题(tí)隐患，对我(wǒ)国(guó)关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链造(zào)成重(zhòng)大安(ān)全风险，影响我国国(guó)家(jiā)安(ān)全(quán)。为此，网络(luò)安全审查(chá)办公室依法作出不予通(tōng)过网络(luò)安全审查的结论。按(àn)照《网络(luò)安(ān)全法》等法律法规，我国(guó)内(nèi)关键信息(xī)基础设施的运营者应(yīng)停(tíng)止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　遭天谴什么意思，天谴什么意思解释此次对美光公司产品(pǐn)进(jìn)行网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查，目(mù)的是(shì)防范产品网(wǎng)络安全问题危害(hài)国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施(shī)。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类平台产品服务(wù)进(jìn)入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信(xìn)网发(fā)文称，为保障关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造(zào)成(chéng)网络(luò)安(ān)全风(fēng)险，维(wéi)护(hù)国家(jiā)安全，依据(jù)《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国(guó)网络安全(quán)法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对(duì)美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安(ān)全审查(chá)。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片(piàn)行(xíng)业龙(lóng)头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国(guó)市场收入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存(cún)储等公司披露过美光等国际存储厂商为公(gōng)司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙(lóng)采购占比已经(jīng)显著下降，至少(shǎo)已经不(bù)是主要(yào)大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙第(dì)一(yī)大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显示，江波(bō)龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场的(de)供(gōng)应优势(shì)，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析(xī)，如(rú)果美光(guāng)在(zài)中国区销(xiāo)售(shòu)受到(dào)限制，或将导致下(xià)游(yóu)客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益(yì)。存储器的生产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最大量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深(shēn)的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设(shè)备(bèi)需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及(jí)刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单(dān)，设(shè)备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及(jí)存储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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