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　　美光公司(sī)在华销(xiāo)售的(de)产品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信(xìn)办(bàn)消(xiāo)息，日前(qián)，网络安全审查办公室依法对(duì)美(měi)光公司(sī)在华销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络(luò)安全问(wèn)题隐患，对(duì)我国关(guān)键信(xìn)息基础设施(shī)供(gōng)应链造成重大安全(quán)风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依(yī)法作(zuò)出不予(yǔ)通过网络安全审查的结(jié)论(lùn)。按照(zhào)《网络安全(q三维向量叉乘公式矩阵，三维向量叉乘公式行列式uán)法》等(děng)法律法规，我(wǒ)国内关键信息基(jī)础(chǔ)设施的运(yùn)营者应停(tíng)止(zhǐ)采(cǎi)购美光(guāng)公司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美(měi)光公司产品进行网络安(ān)全审查，目的是防范产品网络安全(quán)问(wèn)题危(wēi)害国(guó)家关键(jiàn)信息基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必要措施(shī)。中国坚定推进(jìn)高水平(píng)对外开放，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规(guī)要(yào)求，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各(gè)类(lèi)平(píng)台产(chǎn)品(pǐn)服务进(jìn)入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施(shī)供(gōng)应链安(ān)全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维(wéi)护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家安(ān)全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国(guó)网(wǎng)络安(ān)全法》，网络安全审(shěn)查办公室(shì)按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美光是(shì)美国的(de)存(cún)储芯片行业龙头(tóu)，也是全(quán)球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光(guā三维向量叉乘公式矩阵，三维向量叉乘公式行列式ng)在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司(sī)披露过(guò)美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙(lóng)采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建(jiàn)立国内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数(shù)据等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供应优势(shì)，公司也(yě)与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在(zài)中国区(qū)销售(s三维向量叉乘公式矩阵，三维向量叉乘公式行列式hòu)受到限制(zhì)，或将导致下(xià)游客户转而采购(gòu)国(guó)外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽(cáo)，催生(shēng)更多设备需求。据(jù)东(dōng)京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)被(bèi)加入(rù)美(měi)国限制名单，设备(bèi)国产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉积(jī)）等相(xiāng)关(guān)公司(sī)份(fèn)额提升，以及存储业(yè)务(wù)占比较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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