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2l是多少毫升 2l是多少升 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家(jiā)好,来看一(yī)则突(tū)发消息。

  美光公司在华(huá)销售的产品(pǐn)未(wèi)通(tōng)过网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查(chá)

  据网信办(bàn)消息,日前,网络安(ān)全审查办(bàn)公(gōng)室依法(fǎ)对美(měi)光公司在(zài)华销售(shòu)产品进(jìn)行了网(wǎng)络安全审查。

  审查发现,美光公(gōng)司产品(pǐn)存(cún)在较严重网络安全问题隐患,对我(wǒ)国关键信息基础设施(shī)供应链造成重大安(ān)全风险,影响我(wǒ)国国家安全(quán)。为此,网络安全审查办公(gōng)室依法作出不(bù)予通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规(guī),我国内关键信息(xī)基础设施的运(yùn)营者应停止采购美光公司产品。

  此次对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进行网(wǎng)络安(ān)全审查,目的是(shì)防范产品网络(luò)安全(quán)问题危害国家关键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施(shī)安(ān)全(quán),是维护国家安全的必要(yào)措(cuò)施(shī)。中国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对外开放,只要遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规要(yào)求,欢迎各(gè)国企业、各类平(píng)台产品服务进入中国(guó)市场(chǎng)。

  半导体突(tū)发!中国(guó)出手:停止采购(gòu)!

  3月31日,中国网信(xìn)网(wǎng)发(fā)文称,为保障(zhàng)关键信息(xī)基础设(shè)施供(gōng)应(yīng)链安全(quán),防范产品(pǐn)问题隐患(huàn)造成网络安全风险,维护(hù)国家安全,依据《中华人(rén)民共和国国(guó)家安全法》《中华(huá)人民(mín)共(gòng)和国网络安全(quán)法》,网络安全审查办公(gōng)室按照(zhào)《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法》,对(duì)美光公司(sī)(Micron)在华销售的产品实施网络安(ān)全审查。

  半(bàn)导体突发!中国(guó)出手(shǒu):停止采购!

  美(měi)光是(shì)美国的存储芯(xīn)片行业龙头,也是(shì)全球存(cún)储芯片(piàn)巨头之(zhī)一,2022年(nián)收入来(lái)自(zì)中国市场收(shōu)入从(cóng)此前高峰57%降至2022年约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计(jì),2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场(chǎng)份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全球 DRAM (内存)市场份额(é)约为 94.35%。

  A股上市公司(sī)中,江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应(yīng)商。

  美光在(zài)江波(bō)龙采购(gòu)占比已经显著下降,至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

  公告显示, 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大(dà)存(cún)储(chǔ)晶圆供(gōng)应(yīn2l是多少毫升 2l是多少升g)商,采购约31亿元,占比(bǐ)33.52%;2022年,江波龙(lóng)第一大、第二大和(hé)第(dì)三大供(gōng)应商(shāng)采购金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙(lóng)已经在(zài)存储产业链(liàn)上下游(yóu)建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示(shì),江波龙与三(sān)星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂签(qiān)署(shǔ)了(le)长(zhǎng)期(qī)合约,确保存储晶圆供应的(de)稳定性,巩固公司(sī)在下游市场的(de)供应优势,公司(sī)也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

  有券商此前就(jiù)分析(xī),如果美光(guāng)在中国区销售受到限(xiàn)制,或(huò)将导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士,国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对(duì)产品

  分析称,长存(cún)、长鑫的上游设(shè)备厂或(huò)从中(zhōng)受(shòu)益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài),2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤,同(tóng2l是多少毫升 2l是多少升)时刻蚀目(mù)前前(qián)沿要(yào)刻到(dào) 60:1的(de)深孔,未来(lái)可能会更深的孔或(huò)者沟槽(cáo),催生更多设备需求。据(jù)东京电子披(pī)露,薄膜沉积设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支(zhī)合(hé)计为75%。自长江存储被加入美国限制名单,设备国产化进程加速(sù),看好拓荆科技(jì)(薄膜沉积(jī))等相关公司份额提升,以及存储(chǔ)业务占比较高的华海清科(CMP)、盛美上海(hǎi)(清洗(xǐ))等(děng)收入增(zēng)长。

 

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