我想说世间万物一切都不及你是什么歌，满天星辰不及你歌词　大家好，来看一则突发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公(gōng)司在华销(xiāo)售(shòu)的(de)产品未通(tōng)过网络安全审(shěn)查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全审(shěn)查(chá)办公室(shì)依法对(duì)美光公司在华销(xiāo)售产品(pǐn)进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存(cún)在(zài)较严重(zhòng)网络安全(quán)问题隐患，对我国关(guān)键信息基础设施(shī)供应(yīng)链(liàn)造(zào)成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法(fǎ)作(zuò)出不予通过(guò)网络安全(quán)审查(chá)的结论。按照(zhào)《网络安全(quán)法》等法律(lǜ)法规，我国(guó)内(nèi)关键信息(xī)基础设(shè)施的运营者应(yīng)停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查，目的是防范产品网络安全(quán)问题危害国家关(guān)键信(xìn)息基础设施安(ān)全，是维护国家安全(quán)的必要措施(shī)。中国坚定推(tuī)进高水平(píng)对(duì)外开(kāi)放，只要(yào)遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平(píng)台产品服(fú)务(wù)进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网发(fā)文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共和国国家(jiā)安全(quán)法》《中华人民共和国(guó)网(wǎng)络安全(quán)法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施(shī)网络(luò)安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来(lái)自(zì)中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国(guó)际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占比(bǐ)已经显著下降(jiàng)，至少已经(jīng)不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第(dì)二大和(hé)第三(sān)大(dà)供(gōng)应商采(cǎi)购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上下(xià)游建(jiàn)立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签署了(le)长期合约(yuē)，确(què)保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国(guó)产存(cún)储(chǔ)晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就分(fēn)析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限制，或(huò)将导致下游客户转而采购国外三星、我想说世间万物一切都不及你是什么歌，满天星辰不及你歌词 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

我想说世间万物一切都不及你是什么歌，满天星辰不及你歌词　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结(jié)构(gòu)转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过薄膜(mó)沉积工(gōng)艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备需求。据东京电(diàn)子(zi)披(pī)露，薄膜沉(chén)积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限(xiàn)制名单(dān)，设备国产(chǎn)化(huà)进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以(yǐ)及存储业务(wù)占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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