大家好(hǎo)，来看一则突发消息(xī)。2023年过年是哪一天，2023年春节是哪天一天

　　美光公(gōng)司在(zài)华销售的产(chǎn)品未(wèi)通过网络(luò)安(ān)全(quán)审查

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法对美光(guāng)公司在华(huá)销售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美(měi)光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设(shè)施(shī)供应(yīng)链造成重大安全(quán)风险(xiǎn)，影响我国国家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出不(bù)予通(tōng)过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基(jī)础设施(shī)的运营者应停止采(cǎi)购(gòu)美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网络安(ān)全(quán)审查(chá)，目的是(shì)防范产品网络安全问题危害国家(jiā)关键信(xìn)息基础设(shè)施安(ān)全，是维护国(guó)家安全的必要措施。中国(guó)坚定推进(jìn)高水平对外开放，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务(wù)进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网发文(wén)称，为保障关键信息基(jī)础设(shè)施供应(yīng)链安全，防范产品问(wèn)题隐(yǐn)患(huàn)造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全(quán)，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全(quán)法》，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室按照(zhào)《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年(nián)收入来自中国市(shì)场收入从此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波(bō)龙第(dì)一大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第(dì)一大(dà)、第二大(dà)和第(dì)三大供应商采购金额(é)占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在(zài)存储产业链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三(sān2023年过年是哪一天，2023年春节是哪天一天)星、美光、西(xī)2023年过年是哪一天，2023年春节是哪天一天部数据等主要(yào)存储晶圆(yuán)原厂签署了长期(qī)合约，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持(chí)良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在中(zhōng)国区销售(shòu)受到限(xiàn)制，或(huò)将导致(zhì)下游(yóu)客户(hù)转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中(zhōng)受益(yì)。存储器的生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最(zuì)关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻(kè)蚀(shí)目(mù)前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能(néng)会更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生(shēng)更多设备(bèi)需求。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单，设备国产化进程加速(sù)，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积）等相关公(gōng)司(sī)份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入(rù)增(zēng)长。

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