大家好，来看一(yī)则突(tū)发(fā)消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的(de)产品(pǐn)未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室(shì)依法对美光(guāng)公司在华销售产品进行了网络(luò)安全(quán)审查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光公(gōng)司(sī)产品存在较严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链造成重大安全风险，影响我国(guó)国(guó)家安全(quán)。为此，网络安全审查办(bàn)公室依(yī)法作出不予通过网(wǎng)络安全审查的结(jié)论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国(guó)内关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美光公(gōng)司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题(tí)危害国家关(guān)键信息基础设施安全，是维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水平(píng)对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规(guī)要(yào)求(qiú)，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文(wén)称，为保(bǎo)障(zhàng)关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网(wǎng)络安全风险，维护国家安(ān)隶书蚕头燕尾一波三折图解，蚕隶书蚕头燕尾一波三折图解，蚕头燕尾一波三折是什么书体头燕尾一波三折是什么书体全，依(yī)据(jù)《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华(huá)人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安(ān)全审隶书蚕头燕尾一波三折图解，蚕头燕尾一波三折是什么书体查办公室按照(zhào)《网络安全审(shěn)查(chá)办(bàn)法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实(shí)施网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美(měi)光(guāng)是美国的(de)存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自(zì)中国市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披(pī)露过美光(guāng)等国(guó)际存储(chǔ)厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一(yī)大、第二大(dà)和(hé)第三大供(gōng)应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产(chǎn)业链上下游建(jiàn)立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂(chǎng)签署了(le)长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的(de)供应优势，公司(sī)也与国内国产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前(qián)就分析，如(rú)果美光在中国区销(xiāo)售受到限制，或将导致(zhì)下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存储器(qì)的生产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能(néng)会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需(xū)求。据东京电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉积(jī)设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升(shēng)，以(yǐ)及存储(chǔ)业务(wù)占(zhàn)比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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