大(dà)家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华(huá)销售的(de)产品未通(tōng)过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公室(shì)依法(fǎ)对美光公司在华销售(shòu)产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品(pǐn)存在较(jiào)严(yán)重网(wǎng)络安全问题隐患(huàn)，对我国关(guān)键信息基础设施供应链造成重大(dà)安(ān)全(quán)风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作(zuò)出不(bù)予通(tōng)过网(wǎng)络安全审查(chá)的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规(guī)，我(wǒ)国内关键信息基础设(shè)施的运营者应停止(zhǐ)采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络安全审查(chá)，目的是防范产品网络安全问题(tí)危害国家关键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施安全，是维(衢州是哪个省的城市 衢州在浙江富裕吗wéi)护国家(jiā)安全的必(bì)要措施。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守(shǒu)中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关(guān)键信息基础设施供(gōng)应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造(zào)成网络安(ān)全(quán)风险，维护(hù)国家安全(quán)，依据(jù)《中(zhōng)华人民共(gòng)和(hé)国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络(luò)安(ān)全法》，网络安全审查办公室(shì)按照(zhào)《网络(luò)安全(quán)审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国(guó)的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存(cún)储芯片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司披露过美(měi)光(guāng)等(děng)国(guó)际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比(bǐ)已经显著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不(bù)是(shì)主要(yào)大(dà)供应商(shāng)。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第(dì)三大供应商采(cǎi)购金额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立国(guó)内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报显示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部(bù)数据(jù)等(děng)主要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签(qiān)署了(le)长期合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性，巩固公司(sī)在下游(yóu)市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合(hé)肥(féi)长鑫(xīn)保持(chí)良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受(shòu)益。存(cún)储器(qì)的生产(chǎn)已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工(gō衢州是哪个省的城市 衢州在浙江富裕吗ng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到(dào)3维的(de)结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最(zuì)关(guān)键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺(yì)步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设(shè)备需(xū)求(qiú)。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合(hé)计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美(měi)国限制名(míng)单，设(shè)备国(guó)产(chǎn)化(huà)进程加速(sù)，看好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等相关公(gōng)司份额提(tí)升，以及存(cún)储业务占比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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