大家好，来看一(yī)则突发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司在华销(xiāo)售(shòu)的(de)产(chǎn)品(pǐn)未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依(yī)法对美光公司在华(huá)销售(shòu)产品(pǐn)进行了网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较严(yán)重网络(luò)安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施(shī)供应(yīng)链造成重大安全风险，影响我国国(guó)家(jiā)安全(quán)。为此，网络安全审查(chá)办公室依法(fǎ)作出(chū)不予通过(guò)网(wǎng)络(luò)安全审查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内关键信息(xī)基础设(shè)施(shī)的运(yùn)营(yíng)者应(yīng)停(tíng)止采(cǎi)购(gòu)美光公司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美(měi)光公司产品进行网络安全审查，目的(de)是防范产(chǎn)品网络安全问题危(wēi)害国家关键信(xìn)息(xī)基础设施(shī)安全，是(shì)维护国家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水平对(duì)外开放，只要遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法规要求，欢(huān)迎各国(guó)企业、各(gè)类平台产品(pǐn)服(fú)务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施供应(yīng)链安全(quán)，防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安全风险，维护国(guó)家(jiā)安(ān)全，依据(jù)《中华人(rén)民共和国国(guó)家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和(hé)国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的(de)产品(pǐn)实施网(wǎng)络安全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国(guó)的存储芯片行业龙(lóng)头，也(yě)是全(quán)球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠侠长城有什么特点和景观特点 长城是谁修建的、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙(lóng)采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不(bù)是主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美(měi)光位列江波(bō)龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三(sān)大供应商(shāng)采购(gòu)金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美(měi)光、西部(bù)数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确(què)保存储(chǔ)晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性，巩固公司(sī)在下(xià)游市场(chǎng)的(de)供应(yīng)优势，公司也与(yǔ)国(guó)内国产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就(jiù)分(fēn)析(xī)，如果美光在(zài)中国区销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫(xīn)的(de)上游设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大(dà)量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时(shí)刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可(kě)能(néng)会更深的(de)孔或者沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜长城有什么特点和景观特点 长城是谁修建的(mó)沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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