大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司在华销售的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前(qián)，网络安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室依法(fǎ)对美光公(gōng)司在华销售产品进行了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司(sī)产品存(cún)在较严重网络(luò)安(ān)全问题隐患(huàn)，对我国(guó)关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风(fēng)险(xiǎn)，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法作出(chū)不予通过网(wǎng)络安(ān)全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础设施的(de)运(yùn)营者应(yīng)停止采(cǎi)购(gòu)美光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进(jìn)行(xíng)网络安全审查，目的是防范产品网络安全问(wèn)题(tí)危害国家关键(jiàn)信息(xī)基础设施(shī)安全，是维护国(guó)家(jiā)安全的(de)必(bì)要措施。中国坚(jiān)定(dìng)推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放，只要遵(zūn)守中国法(fǎ)律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为(wèi)保障关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供(gōng)应链安(ān)全，防范(fàn)产品问题隐患坚持做核酸有无必要，有没有必要做核酸造成网络安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中华(huá)人(rén)民(mín)共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销售的产品(pǐn)实施(shī)网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年(nián)收入来自中国(guó)市场收(shōu)入(rù)从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至(zhì)少已(yǐ)经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光(guāng)位列江波龙第(dì)一大存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大(dà)供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立(lì)国(guó)内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美光、西部数据等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期(qī)合(hé)约，确保存储晶圆供应(yīng)的(de)稳定性，巩固公司在(zài)下游市场(chǎng)的供应(yīng)优势，公司也(yě)与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分(fēn)析，如(rú)果美光(guāng)在(zài)中国区销售受到(dào)限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂或从中受(shòu)益(yì)。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀(sh坚持做核酸有无必要，有没有必要做核酸í)目前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需(xū)求。据东京电子披露(lù)，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计(jì)为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制名(míng)单(dān)，设(shè)备国产化进程加速，看(kàn)好拓(tuò)荆科(kē)技（薄(báo)膜(mó)沉(chén)积）等相(xiāng)关公(gōng)司份额(é)提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占(zhàn)比较高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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