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北京北站属于哪个区 北京北站在地铁几号线?

北京北站属于哪个区 北京北站在地铁几号线? 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好(hǎo),来看(kàn)一则突发(fā)消息。

  美光公司在华销售的(de)产品(pǐn)未通过网络安(ān)全审查

  据网信办消(xiāo)息,日(rì)前,网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依(yī)法(fǎ)对美光(guāng)公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网络(luò)安全审查(chá)。

  审查发现,美(měi)光公司产品(pǐn)存在北京北站属于哪个区 北京北站在地铁几号线?较严(yán)重(zhòng)网(wǎng)络安全问(wèn)题隐(yǐn)患(huàn),对我国关键信息基础设施供应链造(zào)成重大安(ān)全风险,影响我国国家安全。为此,网络安全审查办公室依法作出(chū)不予通过网络安(ān)全审查的结(jié)论。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等(děng)法律法规,我(wǒ)国(guó)内关键信息基础(chǔ)设施的(de)运(yùn)营者应停(tíng)止采购美光(guāng)公司产品。

  此次对美(měi)光(guāng)公司产品进(jìn)行网络安全审查,目的(de)是防范(fàn)产(chǎn)品网络安全问题危害国(guó)家关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施安全,是维(wéi)护国(guó)家安全(quán)的必要措(cuò)施。中国(guó)坚定推进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放,只要遵守中国法律法规要求,欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类平(píng)台(tái)产品服务进(jìn)入中国市场。

  半导体突发!中国出手(shǒu):停止采购(gòu)!

  3月31日,中国(guó)网信(xìn)网发文称,为保障关键信(xìn)息基础设(shè)施供应链安全,防(fáng)范产(chǎn)品问题隐患造成网络安(ān)全(quán)风(fēng)险,维护国家安全,依据(jù)《中华人民共和(hé)国国家安全(quán)法》《中华人(rén)民共和国网络安全(quán)法》,网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审(shěn)查办法》,对美光公(gōng)司(Micron)在华(huá)销售的产品实(shí)施网络(luò)安全审查。

  半(bàn)导(dǎo)体突发!中国出手:停止采购!

  美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙(lóng)头,也(yě)是全球存储芯片巨头之一,2022年收入(rù)来自中国市(shì)场收入从(cóng)此前高峰57%降至2022年约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪(shǎn)存)市(shì)场份(fèn)额约为 96.76%,三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM (内存(cún))市(shì)场份额约为 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙、佰维存(cún)储等(děng)公(gōng)司(sī)披(pī)露(lù)过(guò)美(měi)光等国际(jì)存储厂商为(wèi)公司供应商。

  美(měi)光在江波(bō)龙采购占比已经显著(zhù)下降,至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应商。

  公(gōng)告显示, 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储晶圆供应商,采购约31亿元(yuán),占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第二大和(hé)第三(sān)大供应商(shāng)采(cǎi)购金额占比分(fēn)别(bié)是26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前江波龙已经在(zài)存储产业(yè)链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示,江(jiāng)波龙与(yǔ)三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约,确保存储晶圆供应的稳定性(xìng),巩固公司在(zài)下(xià)游市场的供应优势,公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

  有券(quàn)商此(cǐ)前就分析,如果美光在中国区销(xiāo)售受到限制,或将(jiāng)导致下(xià)游客户转而采购国(guó)外(wài)三(sān)星、 SK海力士(shì),国内(nèi)长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

  分析称(chēng),长存、长鑫的上游设(shè)备厂或(huò)从中受益。存储器的生(shēng)产(chǎn)已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代,2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工(gōng)设(shè)备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤,同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60:1的(de)深孔,未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽(cáo),催生更(gèng)多设(shè)备需(xū)求。据东京电(diàn)子披(pī)北京北站属于哪个区 北京北站在地铁几号线?露,薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75%。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入美国限制名单,设(shè)备国(guó)产化进程加速,看好拓荆科技(薄膜(mó)沉积(jī))等相关公司份额提升,以及存储业(yè)务占比较高的(de)华海清(qīng)科(CMP)、盛美上(shàng)海(清(qīng)北京北站属于哪个区 北京北站在地铁几号线?洗)等收入增长。

 

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