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　　美光公司在华销售的产品未通(tōng)过网络(luò)安(ān)全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网络安全(quán)审查办公室(shì)依法(fǎ)对(duì)美光(guāng)公司在华(huá)销售(shòu)产品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在较(jiào)严重(zhòng)网络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为(wèi)此，网络安全审(shěn)查办公室依法作出(chū)不予通过网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查的(de)结论。按(àn)照《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律(lǜ)法规(guī)，我国内(nèi)关键信息基(jī)础(chǔ)设施的运营者应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危害国(guó)家关键信息(xī)基础设施安全，是维(wéi)护国家安全(quán)的(de)必要措施。中国(guó)坚定推进(jìn)高水平对外(wài)开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网(w闯关东三个儿子的结局，闯关东三个媳妇的结局ǎng)络(luò)安全风险，维(wéi)护国家安全，依据(jù)《中(zhōng)华(huá)人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和(hé)国网络(luò)安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照(zhào)《网络安全审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自(zì)中国市(shì)场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储等公司披露(lù)过美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降(jiàng)，至(zhì)少已经(jīng)不(bù)是主要大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙第一(yī)大存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二(èr)大和第三(sān)大供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经在存储产业(yè)链上下游建立(lì)国内外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显示(shì)，江波龙与三星、美光(guāng)、西(xī)部数据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆(yuán)原厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约(yuē)，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的(de)稳定性(xìng)，巩固公司(sī)在下游市场的供应(yīng)优(yōu)势，公(gōng)司(sī)也与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美(měi)光在中国区销售受到限制，或将导致(zhì)下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设(shè)备厂或从中受(shòu)益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步(bù)骤，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更深的(de)孔(kǒng)或(huò)者(zhě)沟槽，催生更(gèng)多(duō)设备需求(qiú)。据(jù)东京(jīng)电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入(rù)美国(guó)限制名单，设(shè)备(bèi)国产(chǎn)化(huà)进程加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及(jí)存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增(zēng)长。

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