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　　美光公司在华销售的产品未通过网络安(ān)全(quán)审查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前，网络安全(quán)审查办公室(shì)依法对美(měi)光(guāng)公(gōng)司在华销售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息(xī)基础设施供应链造成(chéng)重大安全风险，影(yǐng)响我国(guó)国家安全(quán)。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)作出不予通(tōng)过(guò)网络安全(quán)审查(chá)的结论。按照(zhào)《网络安(ān)全(quán)法(fǎ)》等法律法(fǎ)规(guī)，我国内(nèi)关键信息(xī)基础(chǔ)设施的运营者应(yīng)停止采购(gòu)美光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公司产品(pǐn)进行(xíng)网(wǎng)络安全审查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施(shī)安全，是维护国家(jiā)安全的(de)必要措施(shī)。中国(guó)坚定推进(jìn)高(gāo)水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各类(lèi)平(píng)台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障(zhàng)关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范(fàn)产品问题隐患(huàn)造成网(wǎng)络安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共和(hé)国国家安全(quán)法》《中华人民共(gòng)和国网络(luò)安(ān)全法》，网络(luò)安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施(shī)网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美(měi)光是美国(guó)的(de)存储芯片行业龙头，也是(s压线扣几分罚款多少的，压线扣多少分？hì)全(quán)球存储芯片巨(jù)头之(zhī)一，2022年(nián)收入来自中国市(shì)场收入从此前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等(děng)公司披(pī)露过美光等国(guó)际存储厂商为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙(lóng)采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光(guāng)位(wèi)列(liè)江波(bō)龙第(dì)一大(dà)存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大、第二大和(hé)第三(sān)大供应商采购金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙(lóng)已经(jīng)在(zài)存储产业(yè)链上下游建立国内外广泛合作。2022年压线扣几分罚款多少的，压线扣多少分？年(nián)报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了(le)长期(qī)合约，确(què)保存储晶圆(yuán)供应的稳定性(xìng)，巩固公司(sī)在下游市场的供应优势，公司也与国(guó)内国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如(rú)果(guǒ)美光(guāng)在中国区销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户转而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海力(lì)士(shì)，国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的(de)上游压线扣几分罚款多少的，压线扣多少分？设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生(shēng)产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀(shí)和(hé)薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更(gèng)多设备需求。据(jù)东京电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长江存(cún)储被加(jiā)入美(měi)国(guó)限制名单(dān)，设备国产化(huà)进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占比较高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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