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　　美光(guāng)公司在华销售的产品(pǐn)未通(tōng)过(guò)网络安全审查(chá)

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)对美(měi)光公司在(zài)华(huá)销售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络(luò)安全问题(tí)隐患，对我国关(guān)键信息(xī)基(jī)础设施(shī)供应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络(luò)安全审查办公(gōng)室依法作出不予通过网络安全审(shěn)查的(de)结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法规，我国(guó)内关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设施的运(yùn)营者应停止采购(gòu)美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司(sī)产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防范产品网络(luò)安全问(wèn)题(tí)危害国家(jiā)关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护(hù)国(guó)家(jiā)安全的必要措施。中国坚(jiān)定推(tuī)进高水平对(duì)外开放(fàng)，只要遵守中(zhōng)国法律法规(guī)要求，欢迎各国(guó)企业、各(gè)类平台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关键信息基础设(shè)施供应链(liàn)安(ān)全，防(fáng)范产(chǎn)品问(wèn)题隐患(huàn)造成(chéng)网络安全风险，维护国家安(ān)全(quán)，依据《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查(chá)办公室(shì)按照(zhào)《网络(luò)安全审查办法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来自中国(guó)市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露(lù)过(guò)美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购(gòu)占(zhàn)比已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供应(yīng阿富汗是不是亡国了)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存(cún)储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二(èr)大和第三大(dà)供应商采购金额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产(chǎn)业链(liàn)上下游建立国(guó)内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司在(zài)下(xià)游市(shì)场的供应优势(shì)，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫保持(chí)良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商此前(qián)就分(fēn)析，如果美(měi)光(guāng)在中国区销(xiāo)售受到(dào)限(xiàn)制，或将(jiāng)导(dǎo)致(zhì)下游客户转而采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经(jīng)过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合计为75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加入美国限制名(míng)单，设备国产化(huà)进程加(jiā)速(sù)，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司份(fèn)额(é)提升，以及存储业务占比较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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