大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销(xiāo)售的(de)产品(pǐn)未通过网络(luò)安全审查

　　据网信(xìn)办消妥否的意思是什么，妥否的用法息，日前，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法对美光公(gōng)司在华(huá)销(xiāo)售产品(pǐn)进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司(sī)产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患(huàn)，对我国(guó)关键信息(xī)基础设施(shī)供应链造成(chéng)重大安全风险，影(yǐng)响我国国家安全(quán)。为(wèi)此，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依法作出不予通过网络安全审查的(de)结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我(wǒ)国(guó)内关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停(tíng)止(zhǐ)采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司产(chǎn)品进行网络安全(quán)审查，目(mù)的是防(fáng)范产品网络安(ān)全问(wèn)题危害国家关键信息基础设施安全(quán)，是维护国(guó)家安全的必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信(xìn)网(wǎng)发文称，为保障关键信息基(jī)础设施供(gōng)应(yīng)链安(ān)全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网络安(ān)全审(shěn)查办公室按照《网络安全(quán)审查(chá)办(bàn)法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨(jù妥否的意思是什么，妥否的用法)头之一，2022年(nián)收入来(lái)自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美光等国(guó)际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少已经(jīng)不是(shì)主要大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告(gào)显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和(hé)第三大供应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链(liàn)上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数(shù)据等(děng)主要(yào)存储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了(le)长期合约，确保存储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商此前(qián)就(jiù)分析，如(rú)果美光(guāng)在中(zhōng)国区销(xiāo)售(shòu)受到限制，或(huò)将(jiāng)导(dǎo)致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经(jīng)演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经(jīng)过薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可能(néng)会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升(shēng)，以及(jí)存(cún)储(chǔ)业务(wù)占比较高(gāo)的华(huá)海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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