大家好，来(lái)看一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未(wèi)通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)

　　据兰州理工大学是一本还是二本 兰州理工大学是211吗(jù)网信办消(xiāo)息，日前，网络安(ān)全审(shěn)查办公室依法对美(měi)光公司在(zài)华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较严(yán)重网络安全(quán)问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国(guó)家(jiā)安(ān)全(quán)。为(wèi)此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不予通过网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查的结(jié)论。按照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律法(fǎ)规(guī)，我国(guó)内关键信息基(jī)础设施的运营者应停止采购美(měi)光公(gōng)司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行(xíng)网络安全审(shěn)查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)安全(quán)，是维护国(guó)家安(ān)全的(de)必要措(cuò)施(shī)。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法规要求，欢迎(yíng)各(gè)国(guó)企业(yè)、各类平台产品服(fú)务进入中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施(shī)供应链安(ān)全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全(quán)风险，维(wéi)护国家安全，依据(jù)《中华人(rén)民(mín)共(gòng)和国国(guó)家安全法》《中华人(rén)民(mín)共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的(de)存(cún)储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等国(guó)际(jì)存(cún)储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采购占比已经显著(zhù)下降(jiàng)，至少已经(jīng)不(bù)是(shì)主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第(dì)一大、第二大(dà)和第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江(jiāng)波龙(lóng)已经在存储(chǔ)产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙(l兰州理工大学是一本还是二本 兰州理工大学是211吗óng)与(yǔ)三(sān)星、美光、西部数据等(děng)主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原(yuán)厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长鑫保持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在中国区(qū)销售受到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存(cún)储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备厂(chǎng)或从中受益。存(cún)储器的生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的(de)结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最(zuì)关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀(shí)目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔(kǒng)或(huò)者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉(chén)积设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限(xiàn)制名单(dān)，设备国(guó)产化进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相(xiāng)关公司(sī)份额提升(shēng)，以及存储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上(shàng)海（清洗）等收入增长。

未经允许不得转载：惠安汇通石材有限公司 兰州理工大学是一本还是二本 兰州理工大学是211吗