大(dà)家好，来看一则(zé)突发消息(xī)。

　　美光公(gōng)司在(zài)华(huá)销售的产品(pǐn)未通(tōng)过网络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查(chá)办公(gōng)室依法(fǎ)对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司产(chǎn)品存在(zài)较严重网(wǎng)络安全问题(tí)隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息(xī)基础设施(shī)供应(yīng)链造成(chéng)重(zhòng)大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全(quán)审查的(de)结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基(jī)础(chǔ)设施的运营者(zhě)应(yīng)停止采(cǎi)购(gòu)美(měi)光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司产品两只小白兔在衬衫里抖来抖去，老师两只大兔子来回晃进(jìn)行网络安全(quán)审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全(quán)问题危害国家关键信息基(jī)础(chǔ)设施安全，是维(wéi)护国家安全(quán)的必要措施(shī)。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵(zūn)守(shǒu)中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类平台(tái)产品(pǐn)服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关(guān)键信息基础设施(shī)供(gōng)应(yīng)链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网(wǎng)络(luò)安(ān)全风险，维(wéi)护(hù)国(guó)家安(ān)全，依据《中华人(rén)民共和国国(guó)家安(ān)全法》《中(zhōng)华(huá)人(rén)民共和国网(wǎng)络安全(quán)法》，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办公室按照(zhào)《网络(luò)安全审查办(bàn)法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实(shí)施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存(cún)储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年收入(rù)来自中国市场收入从此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.3两只小白兔在衬衫里抖来抖去，老师两只大兔子来回晃5％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等(děng)公(gōng)司披露(lù)过美(měi)光等(děng)国(guó)际存储厂商为(wèi)公(gōng)司供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙(lóng)采购占比已经显著下降，至少已经不是(shì)主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位(wèi)列江波龙第一(yī)大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大(dà)、第二(èr)大和第三大供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链上下游(yóu)建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在(zài)下游(yóu)市场的供应(yīng)优势，公司也(yě)与国内国产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分(fēn)析，如果美光在(zài)中国区销售(shòu)受(shòu)到(dào)限制，或将导致下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的(de)上游设(shè)备厂或(huò)从中受益(yì)。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关(guān)键、最大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目(mù)前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入(rù)美(měi)国限制名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

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