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　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通过网(wǎng)络安全审(shěn)查

　　据网信办消(xiāo)息，日(rì)前(qián)，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办公室(shì)依法对美光公司在(zài)华销售(shòu)产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安(ān)全问题(tí)隐患(huàn)，对我国关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)供(gōng)应链造成重大安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安(ān)全。为此，网络安(ān)全审(shěn)查办公室依法作出不(bù)予通过网(wǎng)络安(ān)全审查的(de)结论(lùn)。按照《网(wǎng)络(luò)安(ān)全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运(yùn)营者应停(tíng)止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品进行(xíng)网络安全审(shěn)查，目的是防(fáng)范产品网(wǎng)络安(ān)全问题危害(hài)国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措(cuò)施(shī)。中国(guó)坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平(píng)对(duì)外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要泽连斯基身高是多少 泽连斯基有政治头脑吗求(qiú)，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发(fā)文称，为保障关键信(xìn)息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患(huàn)造(zào)成网络安全(quán)风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华(huá)人(rén)民(mín)共(gòng)和(hé)国国(guó)家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美(měi)国(guó)的(de)存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头，也(yě)是全球存储(chǔ)芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自(zì)中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披(pī)露过美(měi)光等(děng)国际存(cún)储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占(zhàn)比已经显著下(xià)降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是(shì)主要大(dà)供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下(xià)游建立国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西(xī)部数据等主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势(shì)，公司也与国内(nèi)国产存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江存(cún)储、合(hé)肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果(guǒ)美光(guāng)在中国(guó)区销(xiāo)售受(shòu)到限制，或将导致下(xià)游客(kè)户转(zhuǎn)而(ér)采购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受益(yì)。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京(jīng)电子披(pī)露泽连斯基身高是多少 泽连斯基有政治头脑吗，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合计为75％。自长江存储被(bèi)加(jiā)入美(měi)国限制名单，设(shè)备国产(chǎn)化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升(shēng)，以及(jí)存储业务占(zhàn)比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长。

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