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　　美光公司在华销售(shòu)的(de)产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室(shì)依(yī)法对美(měi)光公司在华销售产品进(jìn)行了网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对我国关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链造(zào)成重大安全风险，影响我国(guó)国(guó)家安全(quán)。为此，网络安全(quán)审查办公室依法作出不予通过网络(luò)安全审(shěn)查的结论。按照(zhào)《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规(guī)，我国内(nèi)关键信息基础设施的运(yùn)营者应停止(zhǐ)采购(gòu)美光公司(sī)产品。

　　此次(cì)对美光公司(sī)产品进行网络安(ān)全审查，目的是(shì)防范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施安全，是维护国家安全的(de)必(bì)要措施。中国(guó)坚定推(tuī)进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要(yào)求(qiú)，欢迎各国(guó)企业、各类都没戴口罩2米安全吗，不戴口罩2米的距离安全吗平(píng)台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)安(ān)全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患造成网(wǎng)络(luò)安全风(fēng)险，维护(hù)国家安全，依据(jù)《中华人民(mín)共和国国家安全法(fǎ)》《中华人(rén)民共和国(guó)网络(luò)安全法》，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室按照(zhào)《网络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施(shī)网络安(ān)全(quán)审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片(piàn)行(xíng)业(yè)龙头，也(yě)是(shì)全球(qiú)存储芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年(nián)收入来自(zì)中国市场(chǎn都没戴口罩2米安全吗，不戴口罩2米的距离安全吗g)收(shōu)入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经(jīng)不是主要(yào)大供应(yīng)商(shāng)。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示(都没戴口罩2米安全吗，不戴口罩2米的距离安全吗shì)， 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙(lóng)第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大(dà)和(hé)第(dì)三大供应(yīng)商采(cǎi)购(gòu)金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛(fàn)合(hé)作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期(qī)合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司在(zài)下游市场的供应优势(shì)，公司(sī)也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就(jiù)分析，如果美光在中国区(qū)销售(shòu)受到限(xiàn)制，或将导致下游(yóu)客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设备厂或(huò)从中受益(yì)。存储器的生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最(zuì)关键(jiàn)、最(zuì)大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设(shè)备需求。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公司(sī)份额提升(shēng)，以及(jí)存储(chǔ)业(yè)务占(zhàn)比较(jiào)高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收入增长。

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