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　　大(dà)家(jiā)好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消(xiāo)息，日(rì)前，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法对美光公(gōng)司(sī)在华(huá)销售产品进(jìn)行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品存(cún)在较严重网络(luò)安全问题隐患，对我国关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链(liàn)造成(chéng)重(zhòng)大安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国(guó)国(guó)家安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依法作出不予通过网络安全(quán)审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键信息基础设施的运(yùn)营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购(gòu)美光公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美(měi)光公司产品进行网络安全审查，目的(de)是防范产品网络安(ān)全问题危(wēi)害国家(jiā)关键(jiàn)信息基(jī)础设施(shī)安全，是维护(hù)国家安全(quán)的必要措施。中国(guó)坚定推进(jìn)高水平对(duì)外(wài)开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要(yào)求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业(yè)、各类平台产(chǎn)品服务(wù)进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称(chēng)，为(wèi)保障关键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)供应(yīng)链(liàn)安全，防范产品问题(tí)隐患(huàn)造成网络安(ān)全风险，维(wéi)护国(guó)家安全，依据《中(zhōng)华人(rén)民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国(guó)网络安全(quán)法》，网络安全(quán)审查办公室按(àn)照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是(shì)美国(guó)的存(cún)储芯片行业龙头，也(yě)是(shì)全(quán)球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨(zī)询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光等(děng)国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波龙(lóng)采购占(zhàn)比已经显著(zhù)下降，至(zhì)少已经不是(shì)主要(yào)大(dà)供(gōng)应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一(yī)大、第二(èr)大和第(dì)三大供应(yīng)商(shāng)采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存(cún)储产业链上下游建立(lì)国内(nèi)外广泛合作。2022年年(nián)报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游市场(chǎng)的供应(yīng)优势(shì)，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存(cún)储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果(guǒ)美(měi)光在中国(guó)区销售(shòu)受到限(xiàn)制，或将导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采购(gòu)国(guó)外(wài)三星(xīng)、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未来(lái)可能(néng)会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需(xū)求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被(bèi)加(jiā)入美(měi)国限制(zhì)名单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉积）等(děng)相关公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存储业务占比较(jiào)高(gāo)的(de)华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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