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　　美光公司在华(huá)销售的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公(gōng)司(sī)在(zài)华销售产品进(jìn)行(xíng)了网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美(měi)光公(gōng)司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链造成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国(guó)国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室依法作出不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律(lǜ)法规，我(wǒ)国内关键信息(xī)基础设施的运营者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安(ān)全问题危害国家关键信息(xī)基(每天晚上都要弄我，天天晚上想弄我怎么办jī)础设施安全，是维护国(guó)家安全的(de)必要(yào)措施。中国坚定推进高水平对(duì)外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文(wén)称，为保障关键信息(xī)基(jī)础设施(shī)供应(yīng)链安(ān)全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护(hù)国(guó)家安全，依据《中华人民共和国(guó)国(guó)家(jiā)安全法》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络安全审查(chá)办(bàn)法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全(quán)审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的(de)存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存(cún)储芯片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年收入来(lái)自中国市场收(shōu)入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数(shù)据、SK 海力(lì)士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储(chǔ)等(děng)公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著(zhù)下降(jiàng)，至少已经不(bù)是主要大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年(nián)美光(guāng)位列(liè)江波龙第一(yī)大(dà)存储晶(jīng)圆(yuán)供应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在(zài)存储产业链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示(shì)，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优(yōu)势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在中(zhōng)国区销售(shòu)受到限制(zhì)，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国(guó)外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备(bèi)厂(chǎng)或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大(dà)量(liàng)的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目(mù)前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能(néng)会更深的(de)孔或者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设备需(xū)求。据东(dōng)京电子披露，薄(báo)膜沉(chén)积设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存(cún)储被(bèi)加入美(měi)国限制每天晚上都要弄我，天天晚上想弄我怎么办名单，设备国产化进程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额(é)提升，以及(jí)存储(chǔ)业务(wù)占比(bǐ)较高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长。

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