大家好(hǎo)，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通过网络安(ān)全审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日前，网络安全审查办公室(shì)依法对美光公司在华销售产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审查发(fā)现，美光(guāng)公司产品(pǐn)存在较严重网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链(liàn)造成重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国家安全。为此(cǐ)，网络(luò)安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)作出不予(yǔ)通(tōng)过网络安(ān)全审查(chá)的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等法律法(fǎ)规，我国(guó)内关键信(xìn)息基础设施的运营者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美(měi)光公司产品进行网络(l是什么关系叫侄子，侄子算自己后人吗uò)安全审(shěn)查，目的是防(fáng)范(fàn)产品网(wǎng)络安全问题危(wēi)害国家关(guān)键信(xìn)息基础设施安全，是维护(hù)国家安全(quán)的必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外(wài)开放(fàng)，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务(wù)进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文称，为(wèi)保(bǎo)障(zhàng)关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应链安(ān)全(quán)，防范产品问(wèn)题隐患造成网络(luò)安全风险，维护国(guó)家安(ān)全，依据《中华人民共和国(guó)国家安全(quán)法》《中华人(rén)民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络(luò)安全(quán)审查办(bàn)法(fǎ)》，对(duì)美(měi)光公司(sī)（Micron）在(zài)华销售的产品实施(shī)网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司(sī)披(pī)露过美光等国际存(cún)储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显著下(xià)降(jiàng)，至少已(yǐ)经(jīng)不是主要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第(dì)三大(dà)供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经在(zài)存储产业(yè)链上下(xià)游建(jiàn)立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数(shù)据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期(qī)合约(yuē)，确(què)保存储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司在下游市场(chǎng)的供应优势(shì)，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光在中国(guó)区销(xiāo)售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国(guó)外三星、 SK海力士(shì)，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻(kè)蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可(kě)能会更(gèng)深的(de)孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生更(gèng)多设备需求。据(jù)东京电子(zi)披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美(měi)国限(xiàn)制(zhì)名单，设备国(guó)产化(huà)进程加速，看(kàn)好拓荆科技(jì)（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关公司份额(é)提升，以及(jí)存储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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