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　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通过网(wǎng)络(luò)安全审查

　　据(jù)网信办(bàn)消(x京j属于北京哪个区的车iāo)息，日前，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依法对美光公司在(zài)华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品(pǐn)存在较(jiào)严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施供应链(liàn)造成(chéng)重大(dà)安全风险，影响我国国家安全(quán)。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出不(bù)予通过网络(luò)安全审查的结论。按照(zhào)《网络安(ān)全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施的运(yùn)营(yíng)者应停(tíng)止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品(pǐn)进(jìn)行网络安全(quán)审(shěn)查，目的是(shì)防范产品(pǐn)网(wǎng)络安全(quán)问题(tí)危害(hài)国家关键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施安(ān)全，是维护国家安全的(de)必要措施。中(zhōng)国坚定推进高(gāo)水平对外(wài)开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各(gè)类平台产品服务进(jìn)入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文(wén)称，为保障关键信息基础(chǔ)设施供应链安(ān)全，防(fáng)范产品问题隐患(huàn)造(zào)成网络安全风险，维护国家安(ān)全(quán)，依(yī)据《中(zhōng)华人民(mín)共和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和国网(wǎng)络安全(quán)法》，网(wǎng)络(luò)安全审查办(bàn)公室按照《网络安(ān)全审(shěn)查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存(cún)储芯片行(xíng)业(yè)龙头，也是全球存(cún)储芯片巨(jù)头之一(yī)，2022年(nián)收入来自中国市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、京j属于北京哪个区的车佰维存储等公(gōng)司(sī)披露过(guò)美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显著下降，至(zhì)少已经不是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一大、第(dì)二大和第三大供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签署了长期(qī)合约(yuē)，确(què)保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场的供应优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好(hǎo)的合作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分析，如果美光在中国(guó)区销售受到限制，或(huò)将导致下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受(shòu)益(yì)。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成为最(zuì)关(guān)键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺(yì)步骤，同时刻蚀目(mù)前前(qián)沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可能(néng)会更深的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生(shēng)更(gèng)多(duō)设(shè)备需求。据(jù)东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长江存储(chǔ)被(bèi)加入美国限制名(míng)单，设备国产化进程加速(sù)，看(kàn)好拓(tuò)荆科(kē)技（薄膜沉积(jī)）等相关公司(sī)份(fèn)额(é)提升，以及存(cún)储业(yè)务(wù)占比较高(gāo)的(de)华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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