大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华(huá)销售(shòu)的产品未(wèi)通过网络安全(quán)审(shěn)查

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日前，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依法对美光公司在华销售(shòu)产品(pǐn)进(jìn)行了(le)网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品存在(zài)较严(yán)重网(wǎng)络(luò)安(ān)全问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国关键信息基(jī)础设(shè)施供应(yīng)链造成(chéng)重(zhòng)大安(ān)全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全审查(chá)的结论(lùn)。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律法规(guī)，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运(yùn)营者(zhě)应停止采购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网络安全审(shěn)查，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危(wēi)害国家关键信息基(jī)础设施安全，是维护(h女生为什么不能光膀子，为什么女人不能光膀子ù)国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类(lèi)平台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链安(ān)全(quán)，防(fáng)范产品问题隐患(huàn)造(zào)成网络安全(quán)风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共和国国(guó)家安(ān)全法》《中(zhōng)华人(rén)民共和(hé)国(guó)网络安全法》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存(cún)储芯(xīn)片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收(shōu)入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过(guò)美(měi)光等国际存储厂商(shāng)为公(gōng)司供应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不(bù)是(shì)主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)女生为什么不能光膀子，为什么女人不能光膀子大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一(yī)大(dà)、第二大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产(chǎn)业(yè)链上(shàng)下游(yóu)建立(lì)国内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美光、西(xī)部(bù)数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签(qiān)署了长期(qī)合约，确(què)保(bǎo)存储晶圆供应的(de)稳定女生为什么不能光膀子，为什么女人不能光膀子性，巩固公司(sī)在下游市场的供应优势(shì)，公司也与(yǔ)国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将导致下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫的(de)上游设备(bèi)厂或从中受益(yì)。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工(gōng)艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜(mó)成为最(zuì)关(guān)键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要(yào)经过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能(néng)会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支合(hé)计(jì)为(wèi)75％。自长江存(cún)储被加入美国限制名单，设备(bèi)国产化进(jìn)程加速(sù)，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以及存储业务占比较高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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