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　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通过网络安全(quán)审查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依(yī)法对美光公司在华销售产(chǎn)品进行了网络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现(xiàn)，美光公司产品存在(zài)较严重(zhòng)网络(luò)安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设(shè)施供应链造(zào)成(chéng)重大(dà)安(ān)全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出(chū)不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息基础设施的(de)运营者应停(tíng)止采购美(měi)光公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司产(chǎn)品进(jìn)行网络(luò)安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安(ān)全，是维护国(guó)家安全的(de)必要措施。中国坚(jiān)定推进(jìn)高(gāo)水平对外开放(fàng)，只要遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平(píng)台产(chǎn)品服务进(jìn)入(rù)中国市(shì)场。

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　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息基础设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网(wǎng)络安(ān)全风险，维护国(guó)家安全，依(yī)据《中华(huá)人(rén)民共(gòng)和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网络(luò)安全(quán)审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实(shí)施(shī)网络安(ān)全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市场(chǎng)收(shōu)入从(cóng)此(cǐ)前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司披露(lù)过(guò)美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光(guāng)位列江波(bō)龙第(dì)一大存储晶(jīng)圆(yuán)供应商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和(hé)第三大供(gōng)应商采购金(jīn)额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76中国有多少万兵力，中国有多少万兵力人数％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应优势，公(gōng)司(sī)也与国(guó)内国产存(cún)储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光(guāng)在(zài)中国(guó)区(qū)销售受到限(xiàn)制(zhì)，或将(jiāng)导(dǎo)致下游(yóu)客户(hù)转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的(de)上游设备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜(mó)成为最(zuì)关键、最(zuì)大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经过(guò)薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可(kě)能会(huì)更深的孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设(shè)备及(jí)刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设(shè)备(bèi)国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升(shēng)，以及存储业务占比较(jiào)高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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