大家好，来看一则突发(fā)消息(xī)。

　　美(měi)光公(gōng)司在华销售的(de)产品(pǐn)未通过(guò)网络安全审查

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息(xī)，日前(qián)，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法(fǎ)对美光公(gōng)司在华销售产品(pǐn)进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品(pǐn)存(cún)在(zài)较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设(shè)施供(gōng)应(yīng)链(liàn)造(zào)成(chéng)重大安(ān)全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络(luò)安全审查(chá)办公室(shì)依法作出不予(yǔ)通过网络安三公分是多少厘米 三公分是多少毫米全审查的结论(lùn)。按(àn)照《网络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键信(xìn)息基(jī)础设施的运营者(zhě)应停(tíng)止采(cǎi)购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司(sī)产品(pǐn)进行网络安全审查，目(mù)的是防(fáng)范产(chǎn)品(pǐn)网(wǎng)络安全问题危(wēi)害国家关键信息基础设施(shī)安全，是维护国家(jiā)安全的(de)必(bì)要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水平对(duì)外开(kāi)放，只要(yào)遵守中国(guó)法律法规要(yào)求，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各类(lèi)平台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发文(wén)称，为保障关键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施供应链(liàn)安全(quán)，防(fáng)范产品(pǐn)问题(tí)隐患(huàn)造成(chéng)网络安全(quán)风险，维护国(guó)家安全(quán)，依据《中华人(rén)民共(gòng)和国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人(rén)民共(gòng)和(hé)国网(wǎng)络安全法(fǎ)》，网络安全(quán)审查办公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品实施(shī)网络安全(quán)审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片(piàn)巨(jù)头(tóu)之一(yī)，2022年(nián)收入来自(zì)中国市场收(shōu)入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美(měi)光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国际(jì)存(cún)储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下(xià)降，至少已经不是主要(yào)大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第(dì)一(yī)大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第三大供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在(zài)存储产业链上下游建(jiàn)立国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合(hé)约，确(què)保存储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场的供应(yīng)优(yōu)势，公司(sī)也(yě)与国(guó)内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的(de)上(shàng)游设(shè)备厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存储(chǔ)器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结三公分是多少厘米 三公分是多少毫米构转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目(mù)前(qián)前沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能(néng)会更深(shēn)的(de)孔或者沟(gōu)槽，催生更(gèng)多设备需(xū)求。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本(běn)开支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入(rù)美国限制名单，设备国产化进程(chéng)加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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