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　　美光(guāng)公司在华销售的(de)产(chǎn)品未通(tōng)过(guò)网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息(xī)，日前(qián)，网络安全(quán)审查办公室依法对美光公司(sī)在华(huá)销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公司产品存在较(jiào)严重(zhòng)网(wǎng)络安全问题隐患，对(duì)我国关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链造(zào)成重(zhòng)大安全风(fēng)险，影响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为此，网络安全(quán)审查办公(gōng)室(shì)依法作出不予通过网络安全审查的结论(lùn)。按(àn)照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关(guān)键信息基础设施的(de)运(yùn)营者(zhě)应(yīng)停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目(mù)的(de)是防范产品网络安全问题危害(hài)国家关键信息基础设施(shī)安全，是维护国(guó)家安全的必(bì)要措施。中国(guó)坚(jiān)定(dìng)推进高水平对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各(gè)国(guó)企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为(wèi)保(bǎo)障关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施(shī)供(gōng)应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维(wéi)护国家安全(quán)，依据(jù)《中华人民共(gòng)和国国家安全法(fǎ)》《中华人民(mín)共和(hé)国网络安全法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的(de)产品实施(shī)网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国的存(cún)储芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也是全(quán)球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场(chǎng)收入(rù)从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波(bō)龙陌上花开是什么意思,代表什么，微信名陌上花是什么意思、佰维存储等(děng)公(gōng)司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公司供(gōng)应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采(cǎi)购占比已经(jīng)显著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大(dà)供应(yīng)商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经在(zài)存储产业链上下游(yóu)建立国内外(wài)广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西部数(shù)据(jù)等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固(gù)公司在下游市场(chǎng)的(de)供应优势，公司(sī)也与(yǔ)国内国产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光(guāng)在中国区销(xiāo)售受到限制，或将导致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，陌上花开是什么意思,代表什么，微信名陌上花是什么意思>国内长江存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最(zuì)关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者(zhě)沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备(bèi)需(xū)求。据东京(jīng)电子披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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