大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未(wèi)通(tōng)过(guò)网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查(chá)

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安(ān)全审查办公室依法对美光公司在(zài)华销(xiāo)售(shòu)产品进行了(le)网络(luò)安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严重(zhòng)网络安全问题(tí)隐患，对我国关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施(shī)供应链造成重大安全风险，影响我国(guó)国家(jiā)安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室依法作出(chū)不(bù)予通(tōng)过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施的运营者应停止采(cǎi)购(gòu)美光公司产品。

　　此次对(duì)美(měi)光(guāng)公司产(chǎn)品进行网络安全(quán)审查，目(mù)的(de)是(shì)防(fáng)范产品网络安全(quán)问题危害国(guó)家关键信息基础设施安全，是维护国家(jiā)安全(quán)的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要(yào)遵(zūn)守中(zhōng)国(guó)法律法规(guī)要(yào)求，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各(gè)类(lèi)平台产(chǎn)品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称(chēng)，为(wèi)保障关键信(xìn)息基础设施供应链安(ān)全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共(gòng)和(hé)国国家安全(quán)法》《中华(huá)人民共和国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公室按(àn)照《网络安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售m是什么意思性取向的(de)产(chǎn)品实(shí)施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市(shì)场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等公司披露(lù)过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一(yī)大(dà)存储晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一(yī)大、第(dì)二大和第(dì)三大(dà)供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业(yè)链上下游建(jiàn)立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三(sān)星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长(zhǎng)期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩(gǒng)固(gù)公司在(zài)下游市(shì)场的供应优势(shì)，公司也与国内国(guó)产存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫保持良(liáng)好的(de)合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果(guǒ)美光在(zài)中国(guó)区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂或从(cóng)中(zhōng)受(shòu)益。存储器(qì)的生(shēng)产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量(liàng)的(de)加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜(mó)沉(chén)积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能会(huì)更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备(bèi)需(xū)求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加(jiā)入(rù)美国(guó)限制(zhì)名单，设备(bèi)国产(chǎn)化进程加(jiā)速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公司份额提升，以及(jí)存储业务占(zhàn)比较(jiào)高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛(m是m是什么意思性取向什么意思性取向shèng)美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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