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　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通(tōng)过(guò)网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日(rì)前，网络安(ān)全审查办公室依(yī)法对美光(guāng)公司在(zài)华(huá)销售产品(pǐn)进(jìn)行(xíng)了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较(jiào)严(yán)重网络安全问题隐患，对我国关(guān)键信息基础设(shè)施供应链造(zào)成(chéng)重大安全(quán)风险，影响我国国(guó)家(jiā)安全(quán)。为此，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法作出不予通过网络安全审查(chá)的结论。按照《网络(luò)安全(quán)法》等法(fǎ)律法(fǎ)规(guī)，我国内关(guān)键信息基础设施的(de)运营者(zhě)应停(tíng)止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全(quán)审查，目的是防范产(chǎn)品网络(luò)安全问题危害国家(jiā)关键信息基础设施安全，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进(jìn)高水平对外(wài)开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为(wèi)保障关键信息基础设(shè)施供应(yīng)链(liàn)安全，防范产品问题(tí)隐(yǐn)患造(zào)成网(wǎng)络安全风险，维护(hù)国家安全(quán)，依据(jù)《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查(chá)办(bàn)公室(shì)按照《网络安全审(shěn)查办(bàn)法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国(guó)的(de)存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等公(gōng)司披露过(guò)美光等国际存储厂商为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著(zhù)下降，至少(shǎo)已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(9的算术平方根是3还是正负3，根号9的算术平方根是多少jiāng)波龙第一大、第二(èr)大和第三大(dà)供应商(shāng)采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

9的算术平方根是3还是正负3，根号9的算术平方根是多少　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储(chǔ)产业链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要(yào)存储晶圆原厂签(qiān)署了(le)长期合(hé)约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场的供应优势(shì)，公司也与(yǔ)国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分析，如(rú)果美光在中国区销(xiāo)售(shòu)受(shòu)到限制(zhì)，或将导致下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的(de)上游设(shè)备厂(chǎng)或从中受益。存储器的(de)生产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维的(de)结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最(zuì)大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电(diàn)子披(pī)露(lù)，薄(báo)膜沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名单，设(shè)备(bèi)国产化(huà)进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提(tí)升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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