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　　美光公司在华(huá)销售的(de)产品未通(tōng)过网络安全审查(chá)

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安(ān)全审查办公(gōng)室依法对美光公司在华销售(shòu)产品进(jìn)行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公司产品存在较严重网络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施供应链造成(chéng)重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法作出不予通过(guò)网络安(ān)全审查的(de)结论。按(àn)照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国(guó)内关(guān)键信息基础设施的运营(yíng)者应停止采购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公司(sī)产品进(jìn)行网(wǎng)络安全(quán)审查，目的(de)是防范产品网络安全问题危害(hài)国家(jiā)关键(jiàn)信息基础设施(shī)安全，是(shì)维护国家安(ān)全(quán)的(de)必要(yào)措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务(wù)进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发(fā)文称，为保障关键信息基础设施供(gōng)应链安(ān)全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络(luò)安(ān)全风险，维(wéi)护国家安全(quán)，依据《中华人民共(gòng)和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国网(wǎng)络(luò)安(ān)全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一，上尉是什么级别，上尉是连长还是营长2022年收入来自中(zhōng)国(guó)市(shì)场(chǎng)收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国(guó)际存储厂商为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至少已(yǐ)经不(bù)是主要(y上尉是什么级别，上尉是连长还是营长ào)大供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位列江(jiāng)波(bō)龙第一大存储晶圆(yuán)供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第(dì)三大(dà)供应(yīng)商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部(bù)数据(jù)等(děng)主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂签署了长期合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司(sī)在下游市(shì)场的供(gōng)应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分(fēn)析，如果美光在中(zhōng)国(guó)区销售受到限制，或将导致下(xià)游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器的生产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关(guān)键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的(de)孔或者(zhě)沟槽，催生更多设(shè)备需(xū)求。据(jù)东(dōng)京(jīng)电子披露(lù)，薄(báo)膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产(chǎn)化(huà)进程加速(sù)，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公(gōng)司份(fèn)额提(tí)升(shēng)，以及存(cún)储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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