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　　美光公(gōng)司(sī)在华销售(shòu)的产品(pǐn)未通过(guò)网络安(ān)全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息，日前，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法对美光公(gōng)司在华销售产品(pǐn)进行(xíng)了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基(jī)础设施供应链造(zào)成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依(yī)法作出不予通过(guò)网络安全(quán)审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设(shè)施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进(jìn)行网络安全审(shěn)查，目的是防范产品(pǐn)网络安(ān)全问题危害国家关键(jiàn)信息基础设施(shī)安全，是维护国家安(ān)全的必要措(cuò)施(shī)。中国坚定推(tuī)进(jìn)高(gāo)水(shuǐ)平对(duì)外(wài)开放，只要(yào)遵(zūn)守中国法律法规要求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业、各类(lèi)平(píng)台(tái)产品服(fú)务进入中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键信息(xī)基(jī)础设施供应链(liàn)安全，防范产品(pǐn)问题隐患(huàn)造(zào)成网络安全(quán)风险，维护国家安(ān)全(quán)，依据《中华(huá)人(rén)民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室(shì)按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安(ān)全(quán)审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存储芯片(piàn)行业(yè)龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收入(rù)来自中(zhōng)国市(shì)场收入从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰维存(直径26厘米等于多少寸，26厘米等于多少寸英寸cún)储(chǔ)等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙(lóng)采(cǎi)购(gòu)占比(bǐ)已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大(dà)、第二大和第三大供(gōng)应商采购(gòu)金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产(chǎn)业链上下(xià)游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报(bào)显示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部数据等(děng)主要存(cún)储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确(què)保存储晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固公司(sī)在下游市场(chǎng)的供应优势，公(gōng)司也与国(guó)内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前就分析(xī)，如(rú)果美(měi)光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器(qì)的生产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最(zuì)大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需(xū)求(qiú)。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自(zì)长江(jiāng)存储被加入美国限(xiàn)制名单，设(shè)备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以及(jí)存储(chǔ)业务占比较高的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收入(rù直径26厘米等于多少寸，26厘米等于多少寸英寸)增长(zhǎng)。

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