大家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品未(wèi)通过(guò)网络安(ān)全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办消息，日前，网络(luò)安全审查办公室(shì)依法对美光公司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了(le)网络(luò)安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品(pǐn)存在(zài)较严重(zhòng)网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键信息基(jī)础设施(shī)供应(yīng)链造(zào)成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络(luò)安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室依(yī)法(fǎ)作出不予通过网络安全(quán)审查的(de)结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设施的运营者(zhě)应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危害国(guó)家关(guān)键信息基础设(shè)施(shī)安全(quán)，是维护国家(jiā)安(ān)全的必要(yào)措施(shī)。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水平对外(wài)开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中(zhōng)国(guó)法律法(fǎ)规要求(qiú)，欢(huān)迎(yíng)各国企业、各类平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息基础设施供应链安(ān)全，防范(fàn)产品问题(tí)隐(yǐn)患造(zào)成网络安(ān)全风险，维(wéi)护(hù)国家安全，依(yī)据《中华人民共和国国(guó)家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络(luò)安全(quán)法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网络(luò)安全(quán)审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华(huá)销(xiāo)售(shòu)的(de)产(chǎn)品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收(shōu)入来自中国(guó)市场(chǎng)收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不(bù)是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列(liè)江波龙(lóng)第(dì)一(yī)大存储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第一大、第二大和第三(sān)大供应商采(cǎi)购金(jīn)额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存(cún)储产业链(liàn)上下游建(jiàn)立国内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西(xī)部数据(jù)等主要存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签(qiān)署了长期合约，确(què)保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　一本书多重，一本书多重有一斤吗有券商此前就分析，如果(guǒ)美光(guāng)在中国区(qū)销售受到限制，或将导致(zhì)下游(yóu)客户(hù)转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂或(huò)从(cóng)中受益。存储(chǔ)器的(de)生产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要(yào)经过(guò)薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多(duō)设备需(xū一本书多重，一本书多重有一斤吗)求。据(jù)东京电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化(huà)进程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相关公(gōng)司份额提升(shēng)，以及存储(chǔ)业务(wù)占比较高的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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