大家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光(guāng)公(gōng)司(sī)在华销售的产品未通过网络安全审查(chá)

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日前，网络安全(quán)审(shěn)查(chá)办公室依法(fǎ)对(duì)美光公司(sī)在华销售产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较严(yán)重网络安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对我国关键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链造(zào)成(chéng)重大安(ān)全风(fēng)险，影响我国国家安(ān)全(quán)。为此，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全审查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律法规(guī)，我国内关键(jiàn)信(xìn)息基础设施的运营者应(yīng)停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网(wǎng)络安(ān)全审查，目的是防(fáng)范产品网络(luò)安全问(wèn)题危(wēi)害(hài)国家关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要遵(zūn)守中国(guó)法(fǎ)律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台(tái)产品服务进入(rù)中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发文称，为保障关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链(liàn)安全，防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患造成网络(luò)安(ān)全(quán)风险，维(wéi)护国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民共和国(guó)国家(jiā)安全(quán)法》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网络安全(quán)审查(chá)办公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查。

　　美光是(shì)美国的(de)存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入(rù)来自中(zhōng)国(guó)市场收入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士(s鸭绒被好还是鹅绒被好，鹅绒被最大的缺点hì)、美光、So鸭绒被好还是鹅绒被好，鹅绒被最大的缺点lidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公(gōng)司披露过(guò)美光等国际存(cún)储厂商(shāng)为公司(sī)供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下(xià)降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第(dì)二大和第三大供应(yīng)商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业链上(shàng)下游(yóu)建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报(bào)显示，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固(gù)公司在下游(yóu)市(shì)场的(de)供应优势(shì)，公司(sī)也与国内(nèi)国产存储晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的(de)合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就(jiù)分析，如果美光在中(zhōng)国区销售受(shòu)到限制，或将导致下(xià)游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存(cún)储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或(huò)从中(zhōng)受(shòu)益。存储器(qì)的生(shēng)产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄(báo)膜沉积(jī)工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设备需求。据(jù)东京电子披(pī)露(lù)，薄(báo)膜沉(chén)积(jī)设备及刻(k鸭绒被好还是鹅绒被好，鹅绒被最大的缺点è)蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入美(měi)国限制名单(dān)，设(shè)备国产化进(jìn)程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公(gōng)司份额提升，以及存储业(yè)务占比较高的华海(hǎi)清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等(děng)收入增长。

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