大家好(hǎo)，来看(kàn)一则突发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司(sī)在华销售(shòu)的(de)产品未通(tōng)过网络安(ān)全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对(duì)美(měi)光公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进行了网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在较严重网络(luò)安(ān)全问题(tí)隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造成重大(dà)安全风(fēng)险，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出(chū)不予通过网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查(chá)的结(jié)论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规(guī)，我国内关键信息基础设施的运营者应(yīng)停(tíng)止采购美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网(wǎng)络安全审(shěn)查，目的是防(fáng)范(fàn)产品网络安全问题危(wēi)害国家关(guān)键(jiàn)信息基础设施(shī)安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外(wài)开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法规要求(qiú)，欢(huān)迎各(gè)国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文(wén)称(chēng)，为保(bǎo)障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全(quán)，防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全(quán)风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室按(àn)照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的(de)产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此(cǐ)前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司披露过美光等(děng)国际(jì)存(cún)储厂商(shāng)为公司(s9的算术平方根是3还是正负3，根号9的算术平方根是多少ī)供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著(zhù)下降，至(zhì)少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波(bō)龙第一(yī)大(dà)存储(chǔ)晶圆供(gōng)应商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙(lóng)与(yǔ)三星、美(měi)光、西(xī)部数据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆原(yuán)厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶(jīng)圆供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的供应优(yōu)势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前(qián)就分析，如果美(měi)光在中国区销售(shòu)受到(dào)限制，或(huò)将(jiāng)导致下游客(kè)户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最关(guān)键、最(zuì)大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前(qián)前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可能会(huì)更深的孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多设(shè)备需求。据东京9的算术平方根是3还是正负3，根号9的算术平方根是多少电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美(měi)国限制名单，设备(bèi)国(guó)产化进程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额(é)提升，以及存储业务(wù)占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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