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　　美光公司在(zài)华销售的产品(pǐn)未通过(guò)网(wǎng)络(luò)安全审查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络(luò)安(ān)全审查办(bàn)公(gōng)室依法对美光公司(sī)在华(huá)销售(shòu)产品进行了网络安(ān)全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司(sī)产品存(cún)在较(jiào)严(yán)重网(wǎng)络安全问题(tí)隐患，对我国关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施供应(yīng)链造成重大安全(quán)风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全(quán)审(shěn)查办公室依法作出(chū)不予通过网络安全审查的结(jié)论(lùn)。按照《网络(luò)安(ān)全(quán)法(fǎ)》等(děng)法(fǎ)律法规，我国(guó)内关键信息基(jī)础设施的运营者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司(sī)产品进行网络安全审查(chá)，目(mù)的(de)是(shì)防范(fàn)产品网络(luò)安(ān)全问题危(wēi)害国家关键信息基础(chǔ)设施安全，是(shì)维(wéi)护国家(jiā)安全的(de)必(bì)要(yào)措(cuò)施。中国坚定推进高水平对(duì)外开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国法律法(fǎ)规(guī)要求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发(fā)文(wén)称(chēng)，为保障(zhàng)关键信息基础设(shè)施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护(hù)国家安(ān)全，依据(jù)《中华人民共和国国(guó)家(jiā)安全法(fǎ)》《中华(huá)人民(mín)共和国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品(pǐn)实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的(de)存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙(lóng)头(tóu)，也是全球(qiú)存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市(shì)场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统中元节一般过几天，鬼节不能吃什么东西计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰维(wéi)存(cún)储等公司披(pī)露过美光等国(guó)际存储厂商为公(gōng)司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在江(jiāng)波龙(lóng)采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一(yī)大(dà)存储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第(dì)三大供应商(shāng)采(cǎi)购(gòu)金额(é)占比(bǐ)分别是26.2中元节一般过几天，鬼节不能吃什么东西le='color: #ff0000; line-height: 24px;'>中元节一般过几天，鬼节不能吃什么东西8％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经在存储产(chǎn)业(yè)链上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年(nián)年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长期(qī)合约，确(què)保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司在下游市场的(de)供应优势，公司也与国内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长江存储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备(bèi)厂或(huò)从中受益。存储器(qì)的生产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更深的(de)孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催生更多设备(bèi)需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名(míng)单，设备(bèi)国产化进(jìn)程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升(shēng)，以及存储(chǔ)业务占(zhàn)比较高的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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