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嘴巴含胸的感觉知乎

嘴巴含胸的感觉知乎 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一(yī)则突发消(xiāo)息。

  美光公司在华(huá)销(xiāo)售的(de)产品未通过(guò)网(wǎng)络安全审查

  据(jù)网信办消息,日前,网络安全审(shěn)查办公室依法对美(měi)光公(gōng)司在华销(xiāo)售产品(pǐn)进行了网络安全审查。

  审查发现(xiàn),美光公司产(chǎn)品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患,对我国(guó)关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应链(liàn)造成重大安全风险,影响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为此,网络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)公室依法作出(chū)不予通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规,我国内关(guān)键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购美光公(gōng)司产(chǎn)品。

  此次对美光公司产(chǎn)品进行网络安全审查,目的是防范(fàn)产品(pǐn)网络安全(quán)问(wèn)题(tí)危害国家关键(jiàn)信息基(jī)础设施(shī)安全,是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对(duì)外开(kāi)放(fàng),只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法律法规要求,欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

  半(bàn)导体突发(fā)!中国出手:停止采购(gòu)!

  3月31日,中国网(wǎng)信网(wǎng)发(fā)文称,为(wèi)保障关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施供应(yīng)链安(ān)全,防范产品问题隐患造成网络(luò)安全风险,维护(hù)国家安全,依据《中华人民共和国国家(jiā)安(ān)全法》《中华人民共和(hé)国网络安全法》,网络安全审查办公室按(àn)照《网络安(ān)全审查办法》,对美(měi)光公司(Micron)在(zài)华销售的产品实施(shī)网络(luò)安全审查。

  半(bàn)导体(tǐ)突发!中国出(chū)手:停止采(cǎi)购(gòu)!

  美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头,也是全球存储芯片巨头之一,2022年收(shōu)入来自中国(guó)市场收(shōu)入从此前高峰57%降至(zhì)2022年(nián)约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星(xīng)电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash (闪存)市场份额(é)约为 96.76%,三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光(guāng)在全球(qiú) DRAM (内存)市场份额约为(wèi) 94.35%。

  A股上(shàng)市公司中,江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露(lù)过美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商(shāng)。

  美(měi)光在江波(bō)龙采购占比(bǐ)已经显著下降,至少已(yǐ)经(jīng)不(bù)是(shì)主要大供应商。

  公告显(xiǎn)示, 2021年美光位列江波(bō)龙第(dì)一大存(cún)储晶圆供(gōng)应商(shāng),采购(gòu)约31亿元,占比(bǐ)33.52%;2022年,江(jiāng)波龙(lóng)第一大、第二大和第三(sān)大供应商(shāng)采购金额(é)占比分(fēn)别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前江波龙已经在存储产业链上下(xià)游建(jiàn)立国内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示,江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了长期合约(yuē),确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)的稳定性,巩固公司在下(xià)游(yóu)市场的(de)供(gōng)应(yīng)优势,公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的(de)合作。

  有券商(shāng)此前(qián)就(jiù)分析,如果美光在中国区销售受到限(xiàn)制(zhì),或将导致下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士,国内(nèi)长(嘴巴含胸的感觉知乎zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

  分析称,长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储(chǔ)器的生产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代(dài),2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步骤,同时(shí)刻蚀目前前(qián)沿要(yào)刻到 60:1的深(shēn)孔,未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽,催生更多设备需求(qiú)。据(jù)东京电子披露,薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支(zhī)合计为75%。自长江存储被加入(rù)美国限制(zhì)名(míng)单,设备国产(chǎn)化进程加速,看好拓荆科(kē)技(薄(báo)膜沉积)等相关(guān)公司份额提升,以及存储业务占比较高的华海清科(CMP)、盛美上海(清洗(xǐ))等收入增长。

 

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