大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在(zài)华销(xiāo)售的产品未(wèi)通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对(duì)美(měi)光公司在华销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公司产品存在较(jiào)严重(zhòng)网(wǎng)络安全问题隐患，对(duì)我国(guó)关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查(chá)办公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全审查(chá)的结(jié)论。按(àn)照《网络安全(quán)法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设(shè)施的(de)运营者(zhě)应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品进(jìn)行(xíng)网络安全(quán)审查(chá)，目的是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家(jiā)关键信息基础设施安全，是维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律法规要(yào)求(qiú)，欢(huān)迎各(gè)国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发(fā)文称(chēng)，为保障关(guān)键信息基(jī)础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络(luò)安全法》，网络安(ān)全审查办公室按(àn)照(zhào)《网络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查。

　　美(měi)光是(shì)美国(guó)的存(cún)储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入(rù)来自中国市场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波(bō)龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光(gu诸事顺遂下一句是什么意思，最吉祥的八个字句子āng)等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采(cǎi)购(gòu)占比已(yǐ)经显著(zhù)下降，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波龙第一大存储晶(jīng)圆(yuán)供应商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三(sān)大供应商(shāng)采购诸事顺遂下一句是什么意思，最吉祥的八个字句子金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在(zài)存储产业链(liàn)上下游建(jiàn)立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就分(fēn)析(xī)，如(rú)果美光在中国区(qū)销售受到限制，或(huò)将导(dǎo)致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称(chēng)，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生(shēng)产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最关键、最大(dà)量(liàng)的(de)加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设(shè)备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加(jiā)入美国限制名单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关公司份(fèn)额提升，以及存储业务占比较高的(de)华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等(děng)收入增长。

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