大家好(hǎo)，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光(guāng)公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办公室依法对美(měi)光公司(sī)在华销售(shòu)产品进(jìn)行了网络安(ān)全审查。<日本还敢不敢打中国，日本未来会打中国人吗/p>

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存(cún)在较(jiào)严(yán)重网络(luò)安全问题隐患，对(duì)我国关键信息基础设施供(gōng)应链造成(chéng)重大(dà)安(ān)全风(fēng)险，影(yǐng)响我国国家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)办公室依法作(zuò)出不予通过网络安全审查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国(guó)内关键信(xìn)息基础设施的运营者应停(tíng)止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网(wǎng)络安全审(shěn)查，目的(de)是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信息基础设施安(ān)全，是(shì)维护国(guó)家安全的必要(yào)措施。中(zhōng)国坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平对(duì)外开(kāi)放，只要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链安全，防范(fàn)产品问题(tí)隐(yǐn)患造(zào)成网络安全风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人(rén)民(mín)共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审查(chá)办公(gōng)室按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是(shì)全球存(cún)储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自(zì)中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波(bō)龙(lóng)、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司(sī)披露过美光(guāng)等国际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经(jīng)显(xiǎn)著(zhù)下降，至少已经不是主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大、第二大和第三大(dà)供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立国(guó)内外(wài)广(guǎng)泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在(zài)下游市(shì)场的(de)供应优(yōu)势，公司也(yě)与(yǔ)国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商(shāng)此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受(shòu)到限(xiàn)制(zhì)，或(huò)将导致(zhì)下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游(yóu)设(shè)备厂或从中受益。存(cún)储(chǔ)器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备(bèi)需(xū)求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支(zhī)合(hé)计为75％。自(zì)长江存储被加入美(měi)国(guó)限制名(míng)单，设备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关公(gōng)司份(fèn)额提升，以及存(cún)储业务(wù)占比较高(gāo)的华(huá)日本还敢不敢打中国，日本未来会打中国人吗海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

未经允许不得转载：惠安汇通石材有限公司 日本还敢不敢打中国，日本未来会打中国人吗