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　　美光公司在华销售的产品未通过(guò)网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息，日前，网络(luò)安全(quán)审查办公室(shì)依(yī)法对美光公司在华销售产品进行了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施(shī)供(gōng)应链造(zào)成重大安(ān)全风(fēng)险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办公室依(yī)法作出不(bù)予通过(guò)网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律法规，我国内(nèi)关键信息基础(chǔ)设施的运营(yíng)者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络(luò)安全审查，目(mù)的是(shì)防(fáng)范产品网络(luò)安全问题(tí)危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平对外(wài)开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国法律法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国(guó)企业、各(gè)类平台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国(guó)网信网发(fā)文称，为(wèi)保障(zhàng)关键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链安全(quán)，防范(fàn)产品问题(tí)隐患造(zào)成网(wǎng)络(luò)安全风险(xiǎn)，维(wéi)护国家安全，依据《中华(huá)人民共(gòng)和(hé)国(guó)国家安全法》《中华(huá)人民共(gòng)和(hé)国(guó)网络安全法》，网络(luò)安全审查办公室(shì)按照《网络(luò)安全(quán)审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市(shì)场收入(rù)从此前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披(pī)露(lù)过美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二(èr)大和第三大供应(yīng)商采购(gòu)金(jīn)额(é)占xl是多大码的衣服 xl可以穿到多少斤(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业(yè)链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年(nián)报(bào)显示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美光、西(xī)部数(shù)据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)的稳(wěn)定(dìng)性，巩固(gù)公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国(guó)区(qū)销售(shòu)受(shòu)到限制，或将导致(zhì)下(xià)游客户转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或(huò)从中受益(yì)。存(cún)储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结(jié)构转变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最大量的(de)加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备需求。据(jù)东京电子披(pī)露(lù)，薄膜(mó)沉积设备(bèi)及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入美国限(xiàn)制名单，设(shè)备国产化进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓(tuò)荆(jīng)科(kē)技(jì)（薄(báo)膜(mó)沉积）等(děng)相(xiāng)关(guān)公司份额提升(shēng)，以及(jí)存储业务占比较高的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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