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　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通过网络安全(quán)审查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依法对美光公司(sī)在华销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品存(cún)在较严重网络安全问题隐患，对我国关(guān)键信息(xī)基础设施(shī)供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安(ān)全审查办公(gōng)室依法作(zuò)出不予通过网络安(ān)全(quán)审查的(de)结论。按照《网络安(ān)全(quán)法》等法律法规，我国内(nèi)关键信(xìn)息基础设(shè)施的运营者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公司(sī)产品进行网络安全审(shěn)查，目的是防范产品网络安全(quán)问题危害国家关键信(xìn)息基(jī)础设施安(ān)全(quán)，是维(wéi)护国家安全的(de)必要措施。中国(guó)坚定(dìng)推进高水平对外(wài)开放(fàng)，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各(gè)国(guó)企业、各类平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发(fā)文称，为(wèi)保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问(wèn)题隐(yǐn)患造(zào)成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和(hé)国网(wǎng)络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按(àn)照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产品(pǐn)实施网(wǎng)络安全审查。

　　美(měi)光是美国的(de)存储芯片行业(yè)龙头，也是全(quán)球存储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约(yuē)为 9科幻小说的三要素是哪三要素，小说的三要素是哪三要素的内容6.76％，三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市(shì)场份额(é)约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司披露过美(měi)光(guāng)等国(guó)际(jì)存(cún)储厂商为公司供(科幻小说的三要素是哪三要素，小说的三要素是哪三要素的内容gōng)应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙(lóng)采购占(zhàn)比已经显著下(xià)降(jiàng)，至少已经(jīng)不是主要大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列(liè)江波龙第(dì)一(yī)大存储晶(jīng)圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第(dì)二大和(hé)第三(sān)大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了长期(qī)合(hé)约，确(què)保存储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市(shì)场的供(gōng)应优势，公司也与(yǔ)国(guó)内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫(xīn)保持(chí)良好的(de)合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分析，如(rú)果美光在中国区销售受到限制(zhì)，或(huò)将导致下(xià)游(yóu)客(kè)户(hù)转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工(gōng)艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤，同时(shí)刻(kè)蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可能会(huì)更深的(de)孔或(huò)者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美(měi)国限制名单(dān)，设备国产化进(jìn)程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份(fèn)额(é)提升，以及存(cún)储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等(děng)收(shōu)入增长。

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