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　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过(guò)网(wǎng)络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室(shì)依法对(duì)美光公司在华销售产品(pǐn)进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品(pǐn)存在较(jiào)严重网络安全(quán)问题隐患，对(duì)我国关键信息基础设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国(guó)国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办(bàn)公室依法作出不(bù)予通过网络(luò)安全审查的结(jié)论。按照《网络安(ān)全法》等(děng)法律阿富汗是不是亡国了法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网(wǎng)络安全审查，目(mù)的是防范(fàn)产品网络安全问(wèn)题危害国家(jiā)关键信息(xī)基础设施安(ān)全(quán)，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进(jìn)高水平(píng)对外开放，只要遵守中国(guó)法(fǎ)律法规要求，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各类平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文(wén)称(chēng)，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应(yīng)链(liàn)安全，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审查(chá)。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行(xíng)业龙头，也是(shì)全(quán)球存(cún)储芯片巨头之一，2022年(nián)收(shōu)入来(lái)自中国市(shì)场(chǎng)收(shōu)入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据(jù)市(shì)场咨(zī)询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒn阿富汗是不是亡国了g)计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波(bō)龙、佰维(wéi)存储等公(gōng)司披(pī)露(lù)过美光等国际(jì)存储厂(chǎng)商为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采购(gòu)约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大(dà)供(gōng)应商采购(gòu)金额(é)占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三(sān)星、美光(guāng)、西部数据等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固(gù)公(gōng)司在下(xià)游市场的供应(yīng)优(yōu)势，公司也与(yǔ)国(guó)内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在(zài)中(zhōng)国区销售受(shòu)到(dào)限制，或将(jiāng)导致下游(yóu)客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益(yì)。存储(chǔ)器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前前(qián)沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能会更深(shēn)的(de)孔或(huò)者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄(báo)膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计(jì)为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单(dān)，设备国产(chǎn)化进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提(tí)升，以及(jí)存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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