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腰围63是多少尺码，腰围63是多大尺码半导体突发！中国出手：停止采购！

　　大家好(hǎo)，来看一则突(tū)发(fā)消息。

　　美光公(gōng)司在华销售(shòu)的产品未通过网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查

　　据(jù)网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)对美光公司在华(huá)销售产品(pǐn)进行了(le)网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存(cún)在(zài)较严(yán)重网络(luò)安(ān)全(quán)问题隐患，对我国关(guān)键信息基础设施(shī)供应链造成重大安全(quán)风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不(bù)予(yǔ)通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基(jī)础设施的运营(yíng)者应停(tíng)止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网络安全审(shěn)查，目的(de)是防范(fàn)产品网络安全(quán)问题危害(hài)国家(jiā)关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类(lèi)平台(tái)产品(pǐn)服务(wù)进入中国(guó)市场。

　　半导(dǎo)体突发！中国出手：停止采(cǎi)购！

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国(guó)网(wǎng)信网发文称(chēng)，为(wèi)保障关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应链安全，防范产品问(wèn)题(tí)隐患造(zào)成(chéng)网络安全(quán)腰围63是多少尺码，腰围63是多大尺码风险，维护国(guó)家(jiā)安全，依据《中华人民共(gòng)和(hé)国(guó)国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人民(mín)共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网络安(ān)全审查办法》腰围63是多少尺码，腰围63是多大尺码，对美光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)。

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　　美(měi)光是美国的(de)存储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存(cún)储等公司披露过美(měi)光等国(guó)际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采购占比已经显著(zhù)下(xià)降，至(zhì)少已经不是(shì)主要大(dà)供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大(dà)存储晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿(yì)元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第(dì)一大、第二大(dà)和第三大供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在存(cún)储(chǔ)产业链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)与三(sān)星、美光、西(xī)部数(shù)据等主(zhǔ)要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下游(yóu)市场的供应优势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就(jiù)分析(xī)，如果美(měi)光在中国区销售(shòu)受到限制(zhì)，或(huò)将导致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂或(huò)从中受益。存储器的生(shēng)产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更(gèng)深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国(guó)限制名单，设备国产化进(jìn)程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关公司份(fèn)额提升(shēng)，以及存储(chǔ)业(yè)务占比较(jiào)高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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