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　　美(měi)光公(gōng)司(sī)在(zài)华销售的产品未(wèi)通(tōng)过网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查(chá)办公室(shì)依(yī)法对美(měi)光公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全(quán)问(wèn)题隐患(huàn)，对(duì)我(wǒ)国关键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应链造成重大(dà)安(ān)全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作(zuò)出不(bù)予通过(guò)网络安全(quán)审查(chá)的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法规(guī)，我国内(nèi)关(guān)键信息基础设施(shī)的运营者应停止采(cǎi)购美高中学费一年大概多少钱，高中学费一个学期多少钱光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光(guāng)公司产品进行(xíng)网络安全(quán)审(shěn)查，目的是防范(fàn)产品网络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施安全，是维(wéi)护国(guó)家安全(quán)的(de)必要(yào)措施。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水平对外(wài)开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服(fú)务进入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关键信息(xī)基础设施供应(yīng)链安全(quán)，防(fáng)范产品问(wèn)题隐患造成(chéng)网络安全风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依据(jù)《中(zhōng)华人民共和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和国网(wǎng)络安全(quán)法》，网络安(ān)全审查(chá)办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micr高中学费一年大概多少钱，高中学费一个学期多少钱on）在华销售的(de)产品(pǐn)实施网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存(cún)储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存(c高中学费一年大概多少钱，高中学费一个学期多少钱ún)储等公司(sī)披(pī)露过美光(guāng)等国际存(cún)储厂商(shāng)为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙(lóng)第一(yī)大存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商(shāng)，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大、第二(èr)大和第三大供(gōng)应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存(cún)储产(chǎn)业链上下游建立国(guó)内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的(de)稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司在下游(yóu)市场的供应优势，公(gōng)司也(yě)与(yǔ)国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良好的(de)合作。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分析(xī)，如果(guǒ)美光(guāng)在中国区销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户(hù)转而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对(duì)产品

　　分析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或(huò)从中(zhōng)受益。存(cún)储(chǔ)器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能会(huì)更深的孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生更多设(shè)备(bèi)需求。据(jù)东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜(mó)沉积(jī)设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计(jì)为(wèi)75％。自长江存储被加入(rù)美国(guó)限制名单，设备(bèi)国产化进程加速(sù)，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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