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　　大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售(shòu)的产(chǎn)品未(wèi)通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办公(gōng)室依法对美光公司在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存(cún)在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关(guān)键信息基础设施供应链造成(chéng)重大安全风险，影响我国国(guó)家安(ān)全。为此，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全审查的(de)结论。按照《网络安(ān)全法》等(děng)法(fǎ)律法(fǎ)规，<告白和表白意思一样吗女生，告白和表白意思一样吗strong>我(wǒ)国内关键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施的运(yùn)营者(zhě)应(yīng)停止采购(gòu)美光公司(sī)产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问题危害国家关键信息(xī)基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定(dìng)推(tuī)进高水平对外开放，只要遵(zūn)守中国(guó)法律法规要求，欢(huān)迎各国企业(yè)、各(gè)类平(píng)台产品服(fú)务(wù)进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发(fā)文(wén)称，为保障关键信息基(jī)础设(shè)施供应(yīng)链(liàn)安(ān)全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共(gòng)和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全(quán)法》，网络安全(quán)审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品(pǐn)实(shí)施(shī)网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业(yè)龙(lóng)头，也是(shì)全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年收入(rù)来自(zì)中国市场收入(rù)从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数(shù)据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司(sī)披露过美光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙(lóng)采购占(zhàn)比已经(jīng)显(xiǎn)著下(xià)降，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江波龙第一大告白和表白意思一样吗女生，告白和表白意思一样吗存储晶圆供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大、第二大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下(xià)游建立国内外(wài)广泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据(jù)等主要存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合约，确(què)保存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司在下游市场的供(gōng)应优(yōu)势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分析，如(rú)果美光(guāng)在中国区销售受到限(xiàn)制(zhì)，或(huò)将导致(zhì)下游客户(hù)转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂或从(cóng)中受益。存储(chǔ)器的生产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加(jiā)工(gōng)设(shè)备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更(gèng)深(shēn)的(de)孔或者沟(gōu)槽，催生更多(duō)设(shè)备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名(míng)单(dān)，设备国产(chǎn)化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相关(guān)公司份(fèn)额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收入增长。

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